Фононные флуктуации и эффект псевдолегирования в неоднородных аморфных полупроводниках I. Модель Скеттрапа и морфология полупроводника
Лигачев В.А.1
1Московский энергетический институт,, Москва, Россия
Выставление онлайн: 20 июля 1995 г.
Предпринята попытка построения физической модели, объясняющей обнаруженную экспериментально взаимосвязь между изменением оптических и электрических параметров неоднородных аморфных полупроводниковых материалов, наблюдаемую при варьировании условий их приготовления и легировании. Анализируются достоинства и недостатки модели Скеттрапа, в рамках которой оптические переходы между электронными уровнями материала рассматриваются с учетом флуктуаций чисел заполнения фононных мод в пределах области их пространственной когерентности. Рассматривается более общая (многофононная) модель, учитывающая электрон-фононное взаимодействие со всеми акустическими фононными модами в пределах ячейки, характерные размеры которой могут составлять десятки, сотни или тысячи средних межатомных расстояний. Предполагается, что области пространственной когерентности фононов в материале могут быть отождествлены с ''глобулами'', ''столбами'' и другими видами имеющих устойчивую форму неоднородностей, наблюдаемых в аморфных полупроводниковых материалах методами электронной микроскопии. Предварительный анализ показал, что новый подход на качественном уровне позволяет объяснить взаимосвязь между размерами областей пространственной когерентности и характеристической энергией края поглощения Урбаха.
- %
- Mott N.F., Davis E.A. Electron processes in noncrystalline materials. Oxford (1979). P. 368
- Marshall J.M. Rep. Prog. Phys. 46, 1235 (1983)
- Голикова О.А., Домашевская Э.П., Казанин М.М., Кудаярова В.Х., Мездрочина М.М., Сорокина К.Л., Терехов В.А., Тростянский С.Н. ФТП \bf 23, \it 3, 450 (1989)
- Голикова О.А. ФТП 25, 9, 1517 (1991)
- Ligachov V.A. Proc. 35th Int. Colloquium TH Ilmenau, Ilmenau, DDR (1990). Heft. 4. S. 56
- Ligachov V.A., Gordeev V.N., Filikov V.A., Suleman H. Sov. Phys. Semiconduct. \bf 25, \it 9, 927 (1991)
- Ligachov V.A., Gordeev V.N., Filikov V.A. Proc. 7th Int. Conf. Thin Films Physics \& Application, Shanghai, China (April 14--17, 1991) SPIE. V. 1519. P. 214
- Danchenkov A.A., Ligachev V.A., Popov A.I. Semiconductors \bf 27, \it 8, 683 (1993)
- Голикова О.А., Бабаходжаев У.С., Казанин М.М., Мездрогина М.М., Алаускас К., Юшка Г. ФТП \bf 25, \it 3, 551 (1991)
- Ligachev V.A., Filikov V.A. Sov. Phys. Semiconduct. \bf 26, \it 9, 865 (1992)
- Fuhs W. J. Non-Cryst Sol. 114 (1989)
- Skettrup T. Phys. Rev. B18, 5, 2622 (1978)
- Lei L. Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon / Ed. J.Jounopolus and J.Lucovsky. Springer--Verlag (1984). Pt 2
- Леонтович М.А. Введение в термодинамику. Статистическая физика. М. (1983). 416 с
- Animalu A.O.E. Intermediate quantum theory of crystalline solids. Prentice--Hall, Englewood Cliffs. New Jersey (1977)
- Климонотович Ю.Л. Статистическая физика. М. (1982)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук