Издателям
Вышедшие номера
Формирование регулярных доменных структур и особенности переключения спонтанной поляризации в кристаллах танталата лития при дискретном облучении электронами
Коханчик Л.С.1, Иржак Д.В.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия
Email: mlk@ipmt-hpm.ac.ru
Поступила в редакцию: 5 мая 2009 г.
Выставление онлайн: 20 января 2010 г.

Сообщается об исследовании процессов формирования доменных структур в кристаллах танталата лития толщиной ~300mum при их облучении электронами в растровом электронном микрокопе. Были использованы последовательные дискретные квазиточечные облучения электронным лучом по поверхности -Z-срезов. Такой способ рисования электронным лучом позволил управлять величиной внедряемого заряда и исследовать влияние расстояний между условно точечными зарядами на формирумые при переключении доменные структуры. Исследовано влияние направления перемещения луча при внесении облучений на ширину доменных линий. Сформирована доменная решетка периодом в 12 mum на -z-грани кристалла с переходом в глубине кристалла к структуре 2D-типа. Работа частично поддержана грантом РФФИ N 09-02-00609a.
  • A.C.G. Nutt, V. Gopalan, M.C. Gupta. Appl. Phys. Lett. 60, 2828 (1992)
  • R.W. Keys, A. Loni, R.M. De La Rue, C.N. Ironside, J.H. Marsh, B.J. Luff, P.D. Townsend. Electron. Lett. 26, 188 (1990)
  • Hsu Wei-Yung, Mool C. Gupta. Appl. Phys. Lett. 60, 1 (1992)
  • M. Fujimura, K. Kintaka, T. Suhara, H. Nishihara. J. Lightwave Techn. 11, 1360 (1993)
  • C. Restoin, S. Massy, C. Darraud-Taupiac, A. Barthelemy. Opt. Mater. 22, 193 (2003)
  • J. Son, Y. Yuen, S.S. Orlov, L. Hesselink. J. Cryst. Growth 128, 492 (2005)
  • J. He, S.H. Tang, Y.Q. Qin, P. Dong, H.Z. Zhang, C.H. Kang, W.X. Sun, Z.X. Shen. J. Appl. Phys. 93, 9943 (2003)
  • V. Dierolf, C. Sandmann. Appl. Phys. Lett. 84, 3987 (2004)
  • И.М. Бронштейн, Б.С. Фрайман. Вторичная электронная эмиссия. Наука, М. (1969). 407 с
  • T.E. Evethart, P.H. Hoff. J. Appl. Phys. 42, 5837 (1971)
  • D.B. Li, D.R. Strachan, J.H. Ferris, D.A. Bonnel. J. Mater. Res. 21, 935 (2006)
  • S. Kim, V. Gopalan. J. Appl. Phys. 90, 2949 (2001)
  • A. Chernykh, V. Shur, E. Nikolaeva, E. Shishkin, A. Shur, K. Terabe, S. Kurimura, K. Gallo. Mater. Sci. Eng. B 120, 109 (2005)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.