Издателям
Вышедшие номера
Вакансионные дефекты в карбиде кремния
Гирка А.И.1, Мохов Е.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 18 апреля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1995 г.

Методом аннигиляции позитронов исследованы собственные дефекты в монокристаллах и эпитаксиальных слоях SiC. Установлено, что в кристаллах SiC, выращенных методом Лели, политипов 6H, 4H, 15R, 3C, время жизни позитронов (tau) различается незначительно и близко к времени жизни позитронов в бездефектной матрице (tauB). Очевидно, это свидетельствует об относительно низкой концентрации вакансионных дефектов в политипах SiC (Cv < 5· 1016 cm-3). Более высокие tau характерны для образцов SiC, выращенных методом сублимации при температуре T<2100oC в избытке паров Si. Делается вывод о наличии в этих кристаллах повышенной концентрации углеродных вакансий на уровне (3-5)· 1017 cm-3, что подтверждается также результатами исследования диффузии бора в SiC. Избыточные неравновесные вакансии частично сохраняются при отжиге до T=2400oC.
  • Vodakov Yu.A., Mokhov E.N. Inst. Phys. Conf. Ser., \it 137, Ch 3, 197 (1994)
  • Водаков Ю.А., Гончаров Е.Е., Ломакина Г.А., Мальцев А.А., Мохов Е.Н., Одинг В.Г., Рамм М.Г., Рябова Г.Г. ФТП \bf 21, \it 2, 207 (1987)
  • Левин В.И., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. ФТП \bf 18, \it 7, 1194 (1984)
  • Гирка А.И., Мокрушин А.Д., Мохов Е.Н., Осадчиев В.М., Свирида С.В., Шишкин А.В. ЖЭТФ \bf 97, \it 2, 578 (1990)
  • Pensl G., Choyke W.J. Physica B185, 264 (1993)
  • Il'in V.A., Ballandovich V.A. Defect and Diffusion Forum \bf 103/105, 633 (1993)
  • Shaffer P.T.B. Mater. Res. Bull. 4s, 97 (1969)
  • Сорокин Н.Д., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф., Чернов М.А. ДАН СССР \bf 262, \it 6, 1380 (1982)
  • Knippenberg W.F. Phil. Res. Rep. 18, 161 (1963)
  • Birnie D.P., Kingery W.D. J. Mater. Sci. \bf 25, 2827 (1990)
  • Водаков Ю.А., Ломакина Г.А., Мохов Е.Н. ФТТ \bf 24, \it 5, 1377 (1982)
  • Dlubek G., Krause P. Phys. Stat. Sol. (a) \bf 102, \it 2, 443 (1987)
  • Водаков Ю.А., Ломакина Г.А., Мохов Е.Н., Одинг В.Г. ФТТ \bf 19, \it 9, 1812 (1977)
  • Vodakov Yu.A., Mokhov E.N., Ramm M.G., Roenkov A.D. Krist. und Techn. \bf 14, \it 6, 729 (1979)
  • Mokrushin A.D., Girka A.I., Shishkin A.V. Phys. Stat. Sol. (a) \bf 128, \it 1, 31 (1991)
  • Talvar D.N., Feng Z.C. Phys. Rev. \bf B44, \it 7, 3191 (1991)
  • Moore W.J. J. Appl. Phys. 74, 3, 1805 (1993)
  • Brandt W. Appl. Phys. 5, 1 (1974)
  • Гончаров Е.Е., Рябова Г.Г., Мохов Е.Н. Isotopenpraxis \bf 20, \it 12, 452 (1984)
  • Водаков Ю.А., Жумаев Н., Зверев Б.П., Ломакина Г.А., Мохов Е.Н., Одинг В.Г., Семенов В.В., Симахин Ю.Ф. ФТП \bf 11, \it 2, 373 (1977)
  • Водаков Ю.А., Ломакина Г.А., Мохов Е.Н., Одинг В.Г., Рамм М.Г., Соколов В.И. ФТП \bf 20, \it 8, 1433 (1986)
  • Водаков Ю.А., Калабухова Е.Н., Лукин С.Н., Лепнева А.А., Мохов Е.Н., Шанина Б.Д. ФТТ \bf 33, \it 11, 3315 (1991)
  • Андреев А.П., Виолин Э.Е., Левин В.И., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф., Яременко П.Е. ФТП \bf 24, \it 5, 821 (1990)
  • Мохов Е.Е., Рамм М.Г., Водаков Ю.А. Высокочистые вещества \it 3, 98 (1992)
  • Мальцев А.А., Мохов Е.Н. Письма в ЖТФ \bf 18, \it 14, 41 (1992)
  • Левин В.И., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. ФТП \bf 18, 7 1194 (1984)
  • Freitas J.A., Bishop S.G., Nordquist P.E.R., Gipe M.-L. Appl. Phys. Lett. \bf 52, \it 20, 1695 (1988)
  • Wang C., Bernhole J., Davis R.F. Phys. Rev. \bf 38, \it 17, 12752 (1988)
  • Dannefaer S., Craigen D., Kerr D. Phys. Rev. \bf B51, \it 3, 1928 (1995)
  • Мохов Е.Н., Гончаров Е.Е., Рябова Г.Г. ФТП \bf 18, \it 1, 49 (1984)
  • Itoh H., Yoshikawa M., Nashigama I., Misawa S., Okumura H., Yoshida S. J. Electronic Mater. \bf 21, \it 7, 707 (1992)
  • Sitnikova A.A., Mokhov E.N., Radovanova E.I. Phys. Stat. Sol. (a) \bf 135, K45 (1993)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.