Издателям
Вышедшие номера
Водородная пассивация дислокаций в гетероструктурах ZnCdSe/GaAs
Козловский В.И.1, Крыса А.Б.1, Кузнецов П.И.1
1Физический институт им. П.Н.Лебедева Российской академии наук,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 8 ноября 1994 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1995 г.

Исследована низкотемпературная (40 K) катодолюминесценция эпитаксиальных пленок Zn1-xCdxSe, выращенных методом MOCVD на подложках GaAs(100) и подвергнутых отжигам в водородной плазме. Обнаружено существенное (примерно в 2 раза) сужение ширины линии коротковолнового излучения и увеличение ее интенсивности, а также уменьшение интенсивности длинноволнового излучения по сравнению с исходными образцами. Полученные данные объясняются частичной водородной пассивацией структурных дефектов в эпитаксиальной пленке.
  • Chatterjee B., Bingel S.A., Sieg R. et al. Appl. Phys. Lett. \bf 65, \it 1, 58 (1994)
  • Matragrano M.J., Wetson G.P., Ast D.G. et al. Appl. Phys. Lett. \bf 62, \it 12, 1417 (1993)
  • Botha J.R., Leitcn A.W.R. Appl. Phys. Lett. \bf 63, \it 18, 2534 (1993)
  • Владыко М.Н., Козловский В.И., Крыса А.Б., Попов Ю.М. Краткие сообщения по физике ФИАН, \it 1--2, 20 (1994)
  • Кузнецов П.И., Журавлев Л.А., Шемет В.В. и др. ДАН СССР. \bf 274, \it 5, 1100 (1984)
  • Pelekanos N.T., Ding J., Hagerott M. et al. Phys. Rev. \bf B45, \it 11, 6037 (1992)
  • Newbury P.R., Shahzad K., Petruzzello J., Cammack D.A. J. Appl. Phys. \bf 66, \it 10, 4950 (1989)
  • Осипьян Ю.А., Петренко В.Ф. В кн.: Физика соединений A^2B^6 / Под ред. А.Н.Георгобиани, М.К.Шейнкмана. М. (1986). С. 35--76
  • Pearton S.J., Corbett J.W., Shi T.S. Appl. Phys. \bf A43, 153 (1987)
  • Козловский В.И., Насибов А.С., Резников П.В. Квантовая электрон. \bf 8, \it 4, 745 (1981)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.