Издателям
Вышедшие номера
Инжекционная электролюминесценция pin-тонкопленочных структур на основе гидрогенизированного кремния, полученного в условиях сверхсильного разбавления силана водородом
Андреев А.А.1, Андрианов А.В.1, Авербух Б.Я.1, Мавлянов Р.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 марта 1995 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.

Методом плазмохимического разложения силана (SiH4) в условиях сильного (1:100) разбавления реактивного газа водородом получены тонкие слои гидрогенизированного кремния с шириной оптического зазора Eg>=2.0 eV. Измерения фотолюминесценции (ФЛ) показали межзонный характер излучательлных переходов и дали время затухания импульса ФЛ порядка 5·10-8 s. Эти результаты в совокупности с данными по комбинационному рассеянию света интерпретируются в рамках неоднородной микроструктуры пленок, а именно двухфазной, состоящей из нанокристаллитов кремния, разделенных тонкими прослойками аморфного материала. Исследуемая pin-структура на основе нанокристаллических слоев имеет вольт-амперную характеристику туннельного типа, подчиняющуюся закону Фаулера--Нордгейма. Обнаружена инжекционная электролюминесценция в видимом диапазоне, которая видна невооруженным глазом. Изучены спектральные, кинетические и температурные характеристики электролюминесценции. Обсуждается механизм инжекционной излучательной рекомбинации.
  • Spear W.E., Willeke G., Le Comber P.G., Fitzgerald A.G. J. de Physique 42 Suppl., \it c4, 257 (1981)
  • Matsuda A., Tanaka K. Amorphous semiconductors, Technologies and devices / Ed. Y. Hamakawa. Tokyo (1983). V. 6. 345 p
  • Hollingsworth R.E., Bhat P.K., Madan A. JNCS 97--98, 309 (1987)
  • Грехов А.М., Гавриленко В.И., Литовченко В.Г. Неорган. материалы 22, \it 2, 318 (1986)
  • Лей Л. Физика гидрогенизированного кремния / Под ред. Дж. Джоунопулоса, Дж. Люковски; Пер. с англ. М. (1988). 447 с
  • Brodski M.H. Solid State Commun. 36, 55 (1980)
  • Canham T.L. Appl. Phys. Lett. 57, 1046 (1990)
  • Lockwood D.J., Solid State Commun. 92, 101 (1994)
  • Tsai C.C., Anderson G.B., Thomson R., Wacker B. JNCS 114, \it 1, 151 (1989)
  • Shmitt J.P.M. JNCS 59--60, 649 (1983)
  • Мотт Н, Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах / Пер. с англ. М. (1982). 658 с
  • Mott N.F. Phil. Mag. 36, 2, 413 (1977)
  • Kanemitsu Y., Uto H., Masumoto Y., Matsumoto T., Fitagi T., Mimura H. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 298, 265 (1993)
  • Furukawa S., Matsumoto N., Takeda K. JNCS 77--78, \it 1, 253 (1985)
  • Denenville A., Bruyere J.C., Hamdi H. J. de Physique Suppl., \it c4, 733 (1981)
  • Shimizu I. JNCS 114, 1, 145 (1989)
  • Решина И.И., Гук Е.Г. ФТП 27, 5, 728 (1993)
  • Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М. (1979). 416 с
  • Сванбаев Е.А., Таурбаев Т.И. Тез. всесоюз. сем. "Аморфные гидрированные полупроводники и их применение". (1991). С. 53
  • Грехов А.М., Гунько В.М. ФТП 19, 9, 1881 (1985)
  • Baraff G.A. Phys. Rev. 128, 2507 (1962)
  • Верещагин И.К. Электролюминесценция кристаллов. М. (1974). 279 с
  • Васильев В.А., Волков А.С., Мусабеков Е., Теруков Е.И. Письма ЖЭТФ 14, \it 18, 1675 (1988); Vassilyev V.A., Volkov A.S., Mussabekov E., Terukov E.I., Shernyshov S.V., Shernyakov Yu.S. J. Non-Cryst. Sol. 114, 507 (1989)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.