Издателям
Вышедшие номера
Барический гистерезис электропроводимости и термоэдс фаз высокого давления теллурида германия
Игнатенко О.А.1, Бабушкин А.Н.1, Горланова Ю.В.1
1Уральский государственный университет им. А.М. Горького, Екатиринбург, Россия
Поступила в редакцию: 23 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.

С использованием камеры высокого давления из искусственных алмазов в интервале температур 77--400 K и давлений 15--50 GPa проведены исследования электропроводиности и термоэдс GeTe. Полученные результаты подтвердили имеющиеся рентгеноструктурные данные о фазовых превращениях в GeTe, позволили определить характер проводимости фаз высокого давления со структурами типа NaCl, GeS и CsCl, а также термобарические границы устойчивости этих фаз.
  • Littlewood P.B. J. Phys. C: Solid State Phys. 13, \it 26, 4855 (1980)
  • Верещагин Л.Ф., Кабалкина С.С. Ретгеноструктурные исследования при высоком давлении. М. (1979). 174 с
  • Serebryanaya N.R., Blank V.D., Ivdenko V.A. Phys. Lett. A197, 63 (1995)
  • Верещагин Л.Ф., Яковлев Е.Н., Степанов Г.Н. Письма в ЖЭТФ 18, \it 4, 240 (1972)
  • Babushkin A.N. High Press. Res. 6, 349 (1992)
  • Игнатченко О.А., Бабушкин А.Н., Мельникова Н.В. ФТТ 35, \it 7, 1983 (1993)
  • Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М. (1977). 672 с
  • Бабушкин А.Н., Кобелев Л.Я., Бабушкина Г.В., Яковлев Е.Н. Изв. АН СССР. Неорган. материалы 27, \it 2, 384 (1991)
  • Li X., Jeanloz R. Phys. Rev. B36, 1, 474 (1987)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.