Выполнены измерения оптического пропускания кристаллов 2H SnS₂ в области спектра от 0.5 до 25 mum. Из анализа интерференционных картин, записанных на образцах разной толщины, получены спектральные зависимости показателя преломления n и коэффициента отражения R. Определенные таким образом значения коэффициента отражения использовались при вычислениях коэффициента поглощения. Установлено, что форма края основной полосы поглощения 2H SnS₂ характерна для непрямых разрешенных переходов с E_g=2.18±0.02 eV при участии фонона с энергией около 70 meV. Измерения ИК-пропускания показали наличие основного фононного пика при энергии 69 meV и еще двух более слабых пиков при энергиях 53 и 75 meV.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.