Методами обычной просвечивающей и высокоразрешающей электронной микроскопии (ПЭМ и ВРЭМ) исследован ряд эпитаксиальных гетероструктур A2B6/(001)GaAs, имеющих напряжения растяжения в эпитаксиальном слое, сжатия и практически полную компенсацию напряжений несоответствия на границе слоя--подложка. Обнаружено, что в эпитаксиальных слоях ZnS/GaAs, (Cd,Zn)Te/GaAs и (Cd,Zn)S/GaAs наблюдается анизотропия в распределении таких характерных дефектов, как микродвойники, которые наблюдаются исключительно в проекции [1 10], а их распространение в эпитаксиальном слое хорошо объясняется на основе модели роста. В то же время наблюдение за начальной стадией двойникования в (Hg,Mn)Te позволяет предположить, что деформационные механизмы должны быть также учтены при описании первой стадии формирования микродвойников. Подчеркивается необходимость разделения процессов деформации и роста при образовании микродвойников.
Guha S., DePuydt J.M., Haase M.A., Qiu J., Cheng H. Appl. Phys. Lett. 63, 3107 (1993)
Ernst F., Pirouz P. J. Appl. Phys. 64, 4526 (1988)
Angelo J.E., Gerberich W.W., Stobbs W.M., Bratina G., Sorba L., Franciosi A. Phil. Mag. Lett. 67, 279 (1993)
Chew N., Cullis A.G. Ultramicroscopy 23, 175 (1987)
Tafto J., Spence J.C.H. J. Appl. Cryst. 15, 60 (1982)
Ishizuka K., Tafto J. Acta Cryst. B 40, 332 (1984)
Spellward P., James D. Electron microscopy and analysis. Inst. Phys. Conf. Bristol, Philadelphia, N. Y. (1991). Ser. N 119. P 375--378
Burgess W.G., Saunders M., Bird D., Humphreys C.J. Microbeam Analysis S222 (1993)
Holt D.B. J. Mater. Sci. 23, 1131 (1988)
Jones A.P.C., Brinkman A.W., Russell G.J., Woods J., Wright P.J., Cockayne B. J. Cryst. Growth 79, 729 (1986)
Brown P.D., Hails J.E., Russell G.J., Woods J. Appl. Phys. Lett. 50, 1144 (1987)
Durose K., Russell G.J. J. Cryst. Growth 101, 246 (1990)
Brown P.D., Hails J.E., Russell G.J., Woods J. J. Cryst. Growth 86, 511 (1988)
Durose K., Russell G.J. Microscopy Semicond. Mater. Inst. Phys. Bristol (1987). Ser. N 87. P. 327--332
Brown P.D., Tromson--Carli A., Druilhe R., Triboulet R., Marfaing Y. Proc. 10^ th European Congress on Electron Microscopy. EUREM-92. University of Granada, Granada (1992). V 2. P. 101--102
Sivananthan S., Chu X., Reno J., Faurie J.P. J. Appl. Phys. 60, 1359 (1986)
Internat. Symposium on deslocations in tetragonally coordinated semiconductors. Colloque C6. Hunfeld/Fulda. J. de Physique 40 (1979)
Androussi Y., Vanderschaeve G., Lefebvre A. Microscopy Semicond. Mater. Inst. Phys. Bristol (1987). Ser. N 87. P. 291--296
Brown P.D., Kirkland A., Humphreys C.J. Inst. Phys. Conf. (1993). Ser. N 138. P. 209--212
Gerthsen D., Ponce F.A., Anderson G.B. Phil. Mag. A 59, 1045 (1989)
Pirouz P. Polycrystall. Semicond., Grain Doundaries and Interfaces. Proc. Intern. Sympos. Springer-Verlag Berlin (1989). V. 35. P. 200--212
© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук