Издателям
Вышедшие номера
Влияние силы зеркального изображения на фотоэмиссию электронов из GaAs с отрицательным электронным сродством
Терехов А.С.1, Орлов Д.А.1, Ярошевич А.С.1, Солдатченко Г.М.1, Савченко И.В.1, Ронжин Л.С.1
1Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 14 февраля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.

  • Альперович В.Л., Паулиш А.Г., Терехов А.С. Письма в ЖЭТФ, 55,\it 5, 289 (1992)
  • Alperovich V.L., Paulish A.G., Terekhov A.S. Phys. Rev. B50, \it 8, 5480 (1994)
  • Spectroscopy of nonequlibrium electrons and phonons / Ed. C.V.Shank and B.P.Zakharchenya. North-Holland (1992). 253 p
  • Schottky W. Naturwissenschaften, 26, 12, 843 (1938)
  • Howorth J.R., Harmer A.L., Trawny E.W. Appl. Phys. Lett. 23, \it 3, 123 (1973)
  • Kohn E.S. IEEE Trans. Elestron Devices ED-20, \it 3, 321 (1973)
  • Мусатов А.Л., Коротких В.Л. ФТТ 20, 3, 734 (1978)
  • Edoecumbe J.P., Aebi V.W., Davis G.A. In: Electron Tubes and Image Intensifiers. SPIE (1992). V. 1655. P. 204--210
  • Терехов А.С., Орлов Д.А. Письма в ЖЭТФ 12, \it 12, 827 (1994)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.