Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Нелинейная люминесценция и динамическое уширение экситонных линий GaAs/AlGaAs-структур при стационарном оптическом возбуждении
1Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 20 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.
При температуре 15 K исследована зависимость спектров экситонной люминесценции слоев GaAs, выращенных методом молекулярной пучковой эпитаксии, от плотности возбуждающего излучения (He-Ne-лазер). Исследованы сверхлинейный рост интенсивности и существенное уширение линий свободных и связанных экситонов при изменении мощности возбуждения от 0.01 до 3 mW. На основании анализа концентрационных изменений ширины экситонных линий сделан вывод о том, что основным механизмом уширения является сокращение времени фазовой релаксации экситонов за счет рассеяния на фотовозбужденных носителях.
- Shah J., Leheny R.F., Wiegmann W. Phys. Rev. B16, 1577 (1977)
- Fehrenbach G.W., Shafer W., Treunsch J., Uibrich R.G. Phys. Rev. Lett. 49, 1281 (1982)
- Schultheis L., Kuhl J., Honold A., Tu C.W. Phys. Rev. Lett. 57, 1635 (1986)
- Жиляев Ю.В., Маркарян Г.Р., Россин В.В., Россина Т.В., Травников В.В. ФТТ, 28, \it 9, 2688 (1986)
- Srinivas V., Chen Y.I., Wood C.E.C. Solid State Commun. 89, 611 (1994)
- Wolford D.J., Gilliland G.D., Kuech T.F., Bradley J.A., Hjalmarson H.P. In: The Physics of Semiconductors / Ed. P.Jiang and H.Z.Zheng. World Scientific Publishing Co. Singapore (1992). P. 241
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
