Издателям
Вышедшие номера
Нелинейная люминесценция и динамическое уширение экситонных линий GaAs/AlGaAs-структур при стационарном оптическом возбуждении
Абрамова И.Н.1, Герловин И.Я.1, Долгих Ю.К.1, Елисеев С.А.1, Овсянкин В.В.1, Ефимов Ю.П.1, Игнатьев И.В.1, Петров В.В.1, Шабанов С.В.1
1Государственный оптический институт им. С.И.Вавилова, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.

При температуре 15 K исследована зависимость спектров экситонной люминесценции слоев GaAs, выращенных методом молекулярной пучковой эпитаксии, от плотности возбуждающего излучения (He--Ne-лазер). Исследованы сверхлинейный рост интенсивности и существенное уширение линий свободных и связанных экситонов при изменении мощности возбуждения от 0.01 до 3 mW. На основании анализа концентрационных изменений ширины экситонных линий сделан вывод о том, что основным механизмом уширения является сокращение времени фазовой релаксации экситонов за счет рассеяния на фотовозбужденных носителях.
  • Shah J., Leheny R.F., Wiegmann W. Phys. Rev. B16, 1577 (1977)
  • Fehrenbach G.W., Shafer W., Treunsch J., Uibrich R.G. Phys. Rev. Lett. 49, 1281 (1982)
  • Schultheis L., Kuhl J., Honold A., Tu C.W. Phys. Rev. Lett. 57, 1635 (1986)
  • Жиляев Ю.В., Маркарян Г.Р., Россин В.В., Россина Т.В., Травников В.В. ФТТ, 28, \it 9, 2688 (1986)
  • Srinivas V., Chen Y.I., Wood C.E.C. Solid State Commun. 89, 611 (1994)
  • Wolford D.J., Gilliland G.D., Kuech T.F., Bradley J.A., Hjalmarson H.P. In: The Physics of Semiconductors / Ed. P.Jiang and H.Z.Zheng. World Scientific Publishing Co. Singapore (1992). P. 241
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.