Издателям
Вышедшие номера
Оптические исследования экситонных спектров в эпитаксиальных пленках GaN
Нельсон Д.К.1, Мельник Ю.В.1, Селькин А.В.1, Якобсон М.А.1, Дмитриев В.А.1, Ирвин К.Ж.1, Картер мл. К.Х.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.

Измерены низкотемпературные экситонные спектры люминесценции, отражения и поглощения света эпитаксиальных пленок GaN/6H-SiC. Из анализа спектров впервые определены силы осцилляторов и значения диссипативного затухания экситонных резонансов . Исследование температурной зависимости люминесценции GaN позволило выделить вклады в излучение свободных и связанных экситонов.
  • Fiorentini Y., Methfessel M., Scheffler M. Phys. Rev. B47, 13353 (1993)
  • Dingle R., Sell D.D., Stokowski S.E., Ilegems M. Phys. Rev. B4, \it 4, 1211 (1971)
  • Hopfield J.J., Thomas D.G. Phys. Rev. 132, 563 (1963)
  • Певцов А.Б., Селькин А.В. ЖЭТФ 83, 516 (1982)
  • Алиев Г.Н., Кощуг О.С., Сейсян Р.П. ФТТ 36, \it 2, 373 (1994)
  • Monemar B. Phys. Rev. B10, 2, 676 (1974)
  • Нокс Р. Теория экситонов. М. (1966). 220 с
  • Шварц В. Тр. ИФА АН ЭССР 7 (1956)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.