Издателям
Вышедшие номера
Электронный парамагнитный резонанс акцепторов бериллия, глубокого бора и скандия в карбиде кремния
Баранов П.Г.1, Мохов Е.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1996 г.

Обнаружены и исследованы спектры ЭПР акцепторов бериллия, глубокого бора и скандия в кристаллах 6H-SiC. Форма спектров ЭПР бериллия и их ориентационные зависимости существенно зависят от температуры регистрации и претерпевают изменения в области температур выше 10 и 50 K. В области температур ниже 10 K наблюдались спектры ЭПР трех типов центров с симметрией, близкой к аксиальной, относящихся к двум квазикубическим и гексагональной позициям бериллия в 6H-SiC. При температурах выше 50 K симметрия двух центров бериллия, отнесенных нами к квазикубическим позициям бериллия, ниже аксиальной с осью z, направленной вдоль одной из связей Be--C, не совпадающей с гексагональной осью. Предполагается, что из-за малого по сравнению с кремнием радиуса атом бериллия подобно мелкому бору занимает нецентральное положение в узле кремния, т. е. сдвигается из центра тетраэдра по направлению к центру плоскости трех атомов углерода и удаляется от четвертого атома углерода с набольшей спиновой плотностью. Исследован спектр ЭПР глубокого бора, который имеет симметрию, близкую к аксиальной вдоль c-оси кристалла, и анизотропию g-фактора, примерно на порядок большую по сравнению с мелким бором. В качестве модели глубокого бора с акцепторными свойствами предложена структура BSi-v C, где BSi ---бор, замещающий кремний, v C --- вакансия углерода. Впервые наблюдались спектры ЭПР комплексных центров алюминия и галлия, качественно подобные спектрам глубокого бора, однако имеющие более сильную анизотропию. Для галлия наблюдалась сверхтонкая структура с расщеплением примерно 40 G. Обнаружены спектры ЭПР акцепторов скандия, найдены параметры спинового гамильтониана.
  • Vodakov Yu.A., Mokhov E.N. Diffusion and Solubility of Impurities in Silicon Carbide: Silicon Carbide-73. South Carolina Univ. Press. (1974). P. 508--519
  • Vodakov Yu.A., Mokhov E.N., Ramm M.G., Roenkov A.D. Krist. und Techn. 14, 729 (1979)
  • Маслаковец Ю.П., Мохов Е.Н., Водаков Ю.А., Ломакина Г.А. ФТТ 10, \it 3, 809 (1968); Водаков Ю.А., Ломакина Г.А., Мохов Е.Н., Одинг В.Г., Радованова Е.И. ФТТ 20, \it 2, 448 (1978)
  • Thewalt M.L.W., Watkins S.P., Ziemelis U.O., Lightowlers T.C., Henry M.O. Solid State Commun. 44, \it 5, 573 (1982)
  • Соколов В.И., Макаров В.В., Мохов Е.Н., Ломакина Г.А., Водаков Ю.А. ФТТ 10, \it 10, 3022 (1968)
  • Мохов Е.Н., Водаков Ю.А., Ломакина Г.А. В кн: Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников. Л. (1979). С. 136
  • Водаков Ю.А., Мохов Е.Н., Одинг В.Г. Неорган. материалы 19, \it 7, 1086 (1983)
  • Ломакина Г.А. ФТТ 7, 2, 600 (1965)
  • Woodbury H.H., Ludwig G.W. Phys. Rev. 124, 1083 (1961)
  • Зубатов А.Г., Зарицкий И.М., Лукин С.Н., Мохов Е.Н., Степанов В.Г. ФТТ 27, \it 2, 322 (1985)
  • Петренко Т.Л., Тесленко В.В., Мохов Е.Н. ФТП 26, \it 9, 1556 (1992)
  • Mueller R., Feege M., Greulich-Weber S., Spaeth J.-M. Semicond. Sci. Technol. 8, 1377 (1993)
  • Kuwabara H., Yamada S. Phys. Stat. Sol. (a) 30, 739 (1975); Ikeda M., Matsunami H., Tanaka T. Phys. Rev. B22, 2842 (1980)
  • Pensl G., Helbig R. Festkoerperprobleme: Advances in Solid State Physics 30 / Ed. U. Roessler Vieweg Braunschweig (1990). V. 30. P. 133--156
  • Suttrop W., Pensl G., Laning P. Appl. Phys. A51, 231 (1990)
  • Ballandovich V.S., Mokhov E.N. Semiconductors 29, 187 (1995)
  • Романов Н.Г., Ветров В.А., Баранов П.Г., Мохов Е.Н., Одинг В.Г. Письма в ЖТФ 11, \it 19, 1168 (1985)
  • Baranov P.G., Romanov N.G., Vetrov V.A., Oding V.G. Proc. 20th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors / Ed. E.M. Anastassakis and J.D. Joannopoulos. Singapore. World Scientific (1990). V. 3. P. 1855
  • Baranov P.G., Romanov N.G. Appl. Magn. Res. 2, 361 (1991)
  • Baranov P.G., Romanov N.G. Mater. Sci. Forum 83--87, 1207 (1992)
  • Baranov P.G., Khramtsov V.A., Mokhov E.N. Semicond. Sci. Technol. 9, 1340 (1994)
  • Baranov P.G., Mokhov E.N. Proc. 6th Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials. Kyoto (1995). To be published
  • Вахнер Х., Таиров Ю.М. ФТТ 11, 9, 2440 (1969)
  • Ломакина Г.А., Соколов В.И., Водаков Ю.А. ФТП 16, \it 7, 1244 (1982)
  • Балландович В.С. ФТП 25, 2, 287 (1991)
  • Водаков Ю.А., Ломакина Г.А., Мохов Е.Н., Одинг В.Г., Семенов В.В., Соколов В.И. В кн.: Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников. Л. (1979). С. 164
  • Haberstroh C. University of Erlangen-Nurnberg. Ph. D thesis (1993)
  • Dang Le Si, Lee K.M., Watkins G.D., Choyke W.J. Phys. Rev. Lett. 45, 390 (1980)
  • Баранов П.Г., Ветров В.А., Романов Н.Г., Соколов В.И. ФТТ 27, \it 11, 3459 (1985)
  • Schneider J., Maier K. Physica B185, 199 (1993)
  • Ikeda M., Matsunami H., Tanaka T. J. Lumin. 20, 111 (1979)
  • Mel'nikov N.I., Baranov P.G., Zhitnikov R.A. Phys. Stat. Sol. (b) 46, K73 (1971)
  • Баранов П.Г., Вещунов Ю.П., Житников Р.А., Романов Н.Г. Опт. и спектр. 50, \it 3, 479 (1981); Баранов П.Г. ФТТ 25, \it 3, 881 (1983)
  • Lee K.M., Dang Le Si, Watkins G.D., Choyke W.J. Phys. Rev. B32, 2273 (1985)
  • Вайнер В.С., Ильин В.А., Карачинов В.А., Таиров Ю.М. ФТТ 28, \it 2, 363 (1986)
  • Maier K., Schneider J., Wilkening W., Leibenzeder S., Stein R. Mater. Sci. Eng. B11, 27 (1992)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.