Вышедшие номера
Континуальная теория образования новой фазы на поверхностях твердых тел
Осипов А.В.1
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1996 г.

Предлагаемая континуальная теория с единых позиций описывает процесс зарождения и роста тонких пленок во всей области пересыщений (далеко от спинодали, вблизи спинодали и внутри области спинодали). Начальная стадия конденсации новой фазы представлена как процесс релаксации поля параметра порядка, каковым в данной системе является поверхностная концентрация адатомов. Если параметр метастабильности мал, то уравнение релаксации имеет зародышеподобное решение типа бегущей волны. Оно описывает рост и растворение зародышей новой фазы. Показано, что в этом случае континуальная теория переходит в классическую капиллярную теорию с учетом поправки в свободной энергии на конечную толщину границы зародыша. Установлено взаимно однозначное соответствие между параметрами обеих теорий. Если параметр метастабильности близок к своему критическому значению (область вблизи спинодали), то профиль поля параметра порядка сильно изменяется и флуктуации критического зародыша затрагивают не только границу зародыша, но и весь зародыш целиком. В этом случае эволюция зародышей определяется максимальным собственным значением и отвечающей ему собственной функцией соответствующего дифференциального оператора, учитывающего моду Голдстоуна. Данная мода образуется вследствие того, что критический зародыш спонтанно нарушает глобальную симметрию однородного начального состояния. Образование зародышей новой фазы представлено как случайный процесс в пространстве амплитуд единственной неустойчивой моды. Если пересыщение так велико, что система адатомов является нестабильной, то конденсация пленок описывается в рамках теории спинодального распада.
  1. Бойко В.Г., Могель Х.-Й., Сысоев В.М., Чалый А.В. УФН 161, \it 1, 77 (1993)
  2. Скрипов В.П., Скрипов А.В. УФН 128, 2, 193 (1979)
  3. Трофимов В.И., Осадченко В.А. Рост и морфология тонких пленок. М. (1993). 272 с
  4. Osipov A.V. Thin Solid Films 227, 119 (1993)
  5. Osipov A.V. Thin Solid Films 261, 173 (1995)
  6. Кукушкин С.А., Осипов А.В. ФТТ 35, 6, 1492 (1993)
  7. Кукушкин С.А., Осипов А.В. ФТТ 36, 5, 1258 (1994)
  8. Zinsmeister G. Thin Solid Films 7, 1, 51 (1971)
  9. Unger C., Klein W. Phys. Rev. B29, 2, 2698 (1984)
  10. Scott P. Phys. Rev. A42, 12, 7447 (1990)
  11. Паташинский А.З., Шумило Б.И. ФТТ 23, 4, 1126 (1980)
  12. Осипов А.В. ФХОМ, 5, 71 (1991)
  13. Осипов А.В. Металлофизика 11, 1, 3 (1989)
  14. Осипов А.В. Поверхность, 8, 34 (1991)
  15. Osipov A.V. J. Phys. D: Appl. Phys. 28, 1118 (1995)
  16. Паташинский А.З., Шумило Б.И. ЖЭТФ 77, 4, 1418 (1979)
  17. Девятко Ю.Н., Рогожкин С.В., Мусин Р.Н., Федотов Б.А. ЖЭТФ 103, \it 1, 285 (1993)
  18. Кузовлев Ю.Е., Соболева Т.К., Филиппов А.Э. ЖЭТФ 103, \it 5, 1742 (1993)
  19. Дубровский Г.В., Козачек В.В. ЖТФ 65, 4, 124 (1995)
  20. Sarkies K.W., Frankel N.E. Phys. Rev. A11, \it 5, 1724 (1975)
  21. Oxtobi D.W., Evans R. J. Chem. Phys. 89, \it 12, 7521 (1989)
  22. Жданов В.П., Павличек Я., Кнор З. Поверхность, 10, 41 (1986)
  23. Cahn J.W., Hillard J.E. J. Chem. Phys. 28, \it 2 258 (1958); Ibid. 31, \it 3, 688 (1959)
  24. Kikuchi R. J. Chem. Phys. 47, 5, 1646 (1967)
  25. Mittsev M.A., Potekhina N.D., Potekhin A.Y. Surf. Sci. 318, 217 (1994)
  26. Левек Д., Вейс Ж.-Ж., Ансен Ж.П. В кн.: Методы Монте-Карло в статистической физике. М. (1982). С. 58
  27. Venables A., Spiller G.D.T., Hanb\ddot ucken M. Rep. Prog. Phys. 47, \it 4, 399 (1984)
  28. Langer J.S. Ann. Phys. 65, 1--2, 53 (1971)
  29. Митлин В.С. ЖЭТФ 97, 5, 1826 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.