Вышедшие номера
Изменение электрических и люминесцентных характеристик GaAs при взаимодействии с плазмой CF4
Журавлев К.С.1, Колосанов В.А.1, Плюхин В.Г.1, Шамирзаев Т.С.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 23 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

  1. Juang C., Hsu J.K., Yen I.S., Shiau S. J. Appl. Phys. 1992. Vol. 72 (2). P. 4109
  2. Pearton S.J., Chakrabarti U.K., Baiocchi F.A. Appl. Phys. Lett. 1989. Vol. 55 (2). P. 1633
  3. Pang S.W. J. Electrochem. Soc. 1986. Vol. 133 (4). P. 784
  4. Hara T., Suzuki H., Suga A. et al. J. Appl. Phys. 1987. Vol. 62 (10). P. 4109
  5. Мадан А. Физика гидрогенизированного аморфного кремния. Вып. 1. М.: Мир, 1987. 310 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.