Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Характеристики SiC стабилизаторов напряжения для диапазона температур 20--300 ^oC

Стрельчук А.М.¹, Аникин М.М.¹, Андреев А.Н.¹, Зеленин В.В.¹, Лебедев А.А.¹, Растегаева М.Г.¹, Савкина Н.С.¹, Сыркин А.П.¹, Челноков В.Е.¹, Шестопалова Л.Н.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 1 ноября 1994 г.

Выставление онлайн: 20 июля 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены характеристики корпусированных стабилизаторов напряжения, работоспособных в диапазоне температур 20-300 ^oC, изготовленных на основе 6H-SiC p-n-структур. Напряжения стабилизации находятся в диапазоне от 4 до 50 В, токи стабилизации 1-100 мА. Дифференциальное сопротивление при токе 100 мА не более 30 Ом. Температурный коэффициент напряжения стабилизации не более 6· 10^-4 К^-1.

Аникин М.М., Гусева Н.Б., Дмитриев В.А., Сыркин А.Л. Изв. АН СССР. Сер. Неорган. материалы. 1984. Т. 10. С. 1768--1770
Аникин М.М., Лебедев А.А., Попов И.В. и др. ФТП. 1988. Т. 22. Вып. 2. С. 298--300
Аникин М.М., Лебедев А.А., Растегаева М.Г. и др. Письма в ЖТФ. 1994. Т. 20. Вып. 10. С. 16--19
Полтинников С.А., Водаков Ю.А., Ломакина Г.А. и др. Письма в ЖТФ. 1986. Т. 12. Вып. 5. С. 261--264
Дмитриев В.А., Иванов П.А., Попов И.В. и др. Письма в ЖТФ. 1986. Т. 12. Вып. 13. С. 773--776
Anikin M.M., Rastegaeva M.G., Syrkin A.L., Chuiko I.V. Proc. of the III Intern. Conf. Amorphous and Crystalline Silicon Carbide / Ed. G.L.Harris, M.G.Spencer, C.Y.Yang. Berlin; Heidelberg: Springer Verlag, 1992. P. 183--189
Попов И.В., Сыркин А.Л., Челноков В.Е. Письма в ЖТФ. 1986. Т. 12. Вып. 2. С. 240--244
Дмитриев А.П., Константинов А.О., Литвин Д.П., Санкин В.И. ФТП. 1983. Т. 17. Вып. 6. С. 1093--1098
Аникин М.М., Левинштейн М.Е., Попов И.В. и др. ФТП. 1988. Т. 22. Вып. 9. С. 1574--1579
Кондратьев Б.С., Попов И.В., Стрельчук А.М., Тиранов М.Л. ФТП. 1990. Т. 24. Вып. 4. С. 647--652
Полупроводниковые приборы: диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник / Под ред. Н.Н.Горюнова. М.: Энергоатомиздат, 1983. 744 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель