"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Транспорт заряда и пробой МНОП структур с нитридом кремния, полученным при пониженной температуре
Ершова Н.Ю.1, Ивашенков О.Н.1, Ильин А.Е.1
1Петрозаводский государственный университет, Петрозаводск, Россия
Поступила в редакцию: 27 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1996 г.

Исследованы электропроводность, захват и электрический пробой структур металл-нитрид-оксид-полупроводник (МНОП) с нитридом кремния, синтезированным при разных температурах с модифицированным подслоем SiOxNy. Показано, что в пленках Si3N4, полученных при пониженной температуре синтеза T sint, наблюдается уменьшение глубины залегания кулоновских центров и уменьшение предэкспоненциального множителя в уравнении Пула-Френкеля, а также появление на вольт-амперной характеристике (ВАХ) участка типа I~ U2. По кинетике накопления заряда определено значение характеристического поля в уравнении Фаулера--Нордгейма E0=1.4·108В/см для барьера Si--модифицированный подслой. Установлено, что при пробое МНОП структур в динамическом режиме испытаний с увеличением T sint с 660 до 870oC напряженность электрического поля пробоя E br возрастает с 7.0·106 до 1.1·107 В/см. Показано, что можно выделить два участка как на зависимости времени запаздывания пробоя от поля tau br(E), так и на зависимости E br от скорости роста напряжения. Для интерпретации результатов предложена модель, учитывающая роль объемных зарядов в развитии процесса пробоя.
  • Чжан Т. ТИИЭР. 1976. Т. 64. С. 20
  • Нитрид кремния в электронике / Под ред. А.В. Ржанова. Новосибирск: Наука, 1982. 200 с
  • Ивашенков О.Н., Листопадов А.М., Патракеев С.П., Суриков И.Н. Микроэлектроника. 1993. Т. 22. N 2. С. 43--49
  • Ершова Н.Ю., Драган И.И., Шавкера В.Л. Заводская лаб. 1994. N 1. С. 19--20
  • Gurtov V.A., Nazarov A.I. Phys. Stat. Sol. (a). 1986. Vol. 93. N 1. P. 347--351
  • Райкерус П.А., Лалэко В.А. Физические основы пленочной электроники. Петрозаводск, 1987. 84 с
  • Гуртов В.А., Ивашенков О.Н., Райкерус П.А. РиЭ. 1987. Т. 32. N 8. С. 1693--1698
  • Гуртов В.А., Ивашенков О.Н., Погуляев В.В. Микроэлектроника. 1987. Т. 16. N 5. С. 470--472
  • Ивашенков О.Н., Листопадов А.М., Патракеев С.П., Сергеев М.С. Тез. докл. 3 Всесоюзн. конф. "Физика окисных пленок". Петрозаводск, 1991. С. 102
  • Шмидт Т.В., Гуртов В.А., Лалэко В.А. Микроэлектроника. 1988. Т. 17. N 3. С. 244--248
  • Петров А.И., Рожков В.А. РиЭ. 1993. Т. 38. N 2. С. 296--301
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.