Вышедшие номера
Аномальное увеличение термоэдс и термоэлектрической эффективности в легированных Ga монокристаллах p-(Bi0.5Sb0.5)2Te3
Кульбачинский В.А.1, Кытин В.Г.1, Тарасов П.М.1, Юзеева Н.А.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: kulb@mig.phys.msu.ru
Поступила в редакцию: 20 января 2010 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2010 г.

Исследовано влияние легирования Ga на температурные зависимости (5=< T=<300 K) коэффициента Зеебека alpha, проводимости sigma, коэффициента теплопроводности varkappa и термоэлектрической эффективности Z монокристаллов p-(Bi0.5Sb0.5)2Te3. Показано, что концентрация дырок при легировании Ga уменьшается, коэффициент Зеебека увеличивается, электропроводность уменьшается, термоэлектрическая эффективность увеличивается. Наблюдаемые изменения коэффициента Зеебека не могут быть полностью объяснены уменьшением концентрации дырок и указывают на заметное изменение плотности состояний, вызванное легированием галлием.
  1. Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Te3. Наука, М. (1972). 320 с
  2. В.А. Кутасов, Л.Н. Лукьянова. ФТТ 38, 2366 (1996)
  3. P. Lostak, J. Navratil, J. Sramkova, J. Horak. Phys. Status Solidi A 135, 519 (1993)
  4. P. Lostak, S. Karamazov, J. Horak. Phys. Status Solidi A 143, 271 (1994)
  5. V.A. Kulbachinskii, Z.M. Dashevskii, M. Inoue, M. Sasaki, H. Negishi, W.X. Gao, P. Lostak, J. Horak, A. de Visser. Phys. Rev. B 52, 10 915 (1995)
  6. С.А. Азоу, В.А. Кульбачинский, Г.А. Миронова, С.Я. Скипидаров. ФТП 24, 2, 283 (1990)
  7. N.B. Brandt, V.A. Kulbachinskii. Semicond. Sci. Technol. 7, 907 (1992)
  8. V.A. Kulbachinskii, N.B. Brandt, P.A. Cheremnykh, S.A. Azou, J. Horak, P. Lostak. Phys. Status Solidi B 150, 237 (1988)
  9. В.А. Кульбачинский, Н.Е. Клокова, С.Я. Скипидаров, Я. Горак, П. Лоштяк, С.А. Азоу. Вестн. МГУ. Сер. 3. Физика 30, 68 (1989)
  10. V.A. Kulbachinskii, A.Yu. Kaminskii, R.A. Lunin, K. Kindo, Y. Narumi, K. Suga, S. Kawasaki, M. Sasaki, N. Miyajima, P. Lostak, P. Hajek. Semicond. Sci. Technol. 17, 1133 (2002)
  11. V.A. Kulbachinskii, A.Yu. Kaminsky, K. Kindo, K.Y. Narumi, K. Suga, S. Kawasaki, M. Sasaki, N. Miyajima, G.R. Wu, P. Lostak, P. Hajek. Phys. Status Solidi B 229, 1467 (2002)
  12. V.A. Kulbachinskii, H. Negishi, M. Sasaki, Y. Giman, M. Inoue, P. Lostak, J. Horak. Phys. Status Solidi B 199, 505 (1997)
  13. В.А. Кульбачинский, Н.Е. Клокова, Я. Горак, П. Лоштяк, С.А. Азоу, Г.А. Миронова. ФТТ 31, 1, 205 (1989)
  14. V.A. Kulbachinskii, M. Inoue, M. Sasaki, H. Negishi, W.X. Gao, K. Takase, Y. Giman, P. Lostak, J. Horak. Phys. Rev. B 50, 16921 (1994)
  15. J.P. Heremans, V. Jovovic, E.S. Toberer, A. Saramat, K. Kurosaki, A. Charoenphakdee, S. Yamanaka, G.J. Snyder. Science 321, 554 (2008)
  16. В.А. Кульбачинский, П.М. Тарасов, Э. Брюк. ЖЭТФ 101, 3, 528 (2005)
  17. V.A. Kulbachinskii, N. Miura, H. Nakagawa, C. Drashar, P. Lostak. J. Phys. C 11, 5273 (1999)
  18. J. Navratil, P. Lostak, J. Horak. Cryst. Res. Technol. 26, 675 (1991)
  19. А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников. Наука, М. (1978). 615 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.