"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Рост объемных монокристаллов карбида кремния политипов 4 H и 6 H
Максимов А.Ю.1, Мальцев А.А.1, Юшин Н.К.1, Бараш И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург
Поступила в редакцию: 20 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1995 г.

  • Nakata T., Koga K., Matsushita Y., Ueda Y., Niina T. Amorphouse and Crystalline Silicon Carbide and Related Materials II (Springer Proceedings in Physics). 1989. V. 43. P. 26--33
  • Barrett D.L., Seidensticker R.G., Gaida W., Hopkins R.H. J. of Crystal Growth. 1991. V. 109. P. 17--23
  • Nishino S., Kojima Y., Saraie J. Amorphouse and Crystalline Silicon Carbide III (Springer Proceedings in Physics). 1992. V. 56. P. 15--21
  • Tairov Yu.M., Tsvetkov V.F. J. Crystal Growth. 1981. V. 52. P. 146
  • Бараш А.С., Водаков Ю.А., Кольцова Е.Н., Мальцев А.А., Мохов Е.Н., Раенков А.Д. Материалы 7-ой Всесоюз. конф. по росту полупроводниковых кристаллов и пленок. 1986. Т. 1. С. 279--281
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.