Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 1995, выпуск 18 » Статья стр. 56
<<<>>>
Полная идентификация параметров примесных уровней в высокоомных полупроводниковых кристаллах с помощью термостимулированных токов при дозированном освещении образцов
Кашерининов П.Г., Матюхин Д.Г.
Выставление онлайн: 20 августа 1995 г.
PDF версия
  1. Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977 (\it Milnes A.G. Deep Impurities in Semiconductors. New York--London, J. Wiley \& Sons, 1963)
  2. Кашерининов П.Г., Кичаев А.В., Ярошецкий И.Д. Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. В. 17. С. 48--53
  3. Кашерининов П.Г., Кичаев А.В., Томасов А.А., Ярошецкий И.Д. Письма в ЖТФ. 1994. Т. 20. В. 18. С. 16--19
  4. Кашерининов П.Г., Матюхин Д.Г., Ярошецкий И.Д. Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. В. 7. С. 44--49
  5. Кашерининов П.Г., Кичаев А.В., Ярошецкий И.Д. ЖТФ. 1995. В. 10
  6. Аркадьева Е.Н., Матвеев О.А., Маслова Л.В., Прокофьев С.В., Рывкин С.М., Хусаинов А.Х. ДАН СССР. 1975. Т. 221. С. 77--79

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme