Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности эпитаксиального роста CeO 2 пленок на кремниевых подложках
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 10 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.
- Wu X.D., Dye R.C., Muenchausen R.E. et al. Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58. N 19. P. 2165--2167
- Yoshimoto M., Syimozono K., Maeda T. et al. Jpn. J. Appl. Phys. 1995. V. 34. N 6A. P. L688--L690
- Hollman E.K., Vendik O.G., Zaitsev A.G., Melekh B.T. Supercond. Sci. Technol. 1994. V. 7. P. 609--622
- Chikyow T., Bedair S.M., Tye L., El-Masry N.A. Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65. N 8. P. 1030--1032
- Inoue T., Yamamoto Y., Koyama S. et al. Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56. N 14. P. 1332--1333
- Inoue T., Osonoe M., Tohda H. et al. J. Appl. Phys. 1991. V. 69. N 12. P. 8313--8315
- Inoue T., Ohsuna T., Obara Y. et al. J. Cryst. Growth. 1993. V. 131. P. 347--351
- Смольский О.В., Денисов Д.В., Мамутин В.В. Письма в ЖТФ. 1996 (в печати)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
