"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование процесса формирования границы Si/CeO 2 структур методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии
Смольский О.В.1, Денисов Д.В.1, Мамутин В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург
Поступила в редакцию: 12 декабря 1995 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.

  • Chikyow T., Bedair S.M., Tye L. et al. Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65. N 8. P. 1030--1032
  • Tye L., El-Masry N.A., Chikyow T. et al. Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65. N 24. P. 3081--3083
  • Wu X.D., Dye R.C., Muenchausen R.E. et al. Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58. N 19. P. 2165--2167
  • Ормонт Б.Ф. Структура неорганических веществ. М., 1950. С. 454
  • Картенко Н.Ф., Мамутин В.В., Смольский О.В. и др. Письма в ЖТФ. 1995 (в печати)
  • Wagner C.D., Riggs W.M., Davis L.E. et al. Handbook of X-ray photoelectron spectroscopy. Perkin-Elmer Corp., 1979. 190 p
  • Миначев Х.М., Антошин Г.В., Шпиро Е.С. Фотоэлектронная спектроскопия и ее применение в катализе. Л.: Наука, 1981. 213 с
  • Barr T.L. J. Phys. Chem. 1978. V. 82. N 16. P. 1801--1810
  • Suzuki T., Muto M., Hara M. et al. Jap. J. Appl. Phys. 1986. V. 25. N 4. P. 544--551
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.