Фотогальванический эффект в асимметричной наноструктуре GaAs/AlGaAs при лазерном возбуждении
Кучеренко И.В.1, Водопьянов Л.К.1, Кадушкин В.И.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН Москва Научно-исследовательский технологический институт Рязань
Поступила в редакцию: 15 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.
- Горбацевич А.А., Капаев В.В., Копаев Ю.В. Письма в ЖЭТФ. 1993. Т. 57. С. 565
- Белиничер В.И., Стурман Б.И. УФН. 1980. Т. 130. С. 415
- Doviak I.M., Kothari S. Proc. XII Int. Conf. on Phys. of Semicond. Stuttgart, 1974. P. 1257
- Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963. С. 371
- Алещенко Ю.А., Воронова И.Д., Гришечкина С.П. и др. Письма в ЖЭТФ. 1993. Т. 58. С. 377
- Гавриленко В.И., Грехов А.М. и др. Оптические свойства полупроводников: Справочник. Киев. Наук. думка, 1987. С. 208
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук