"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Режимы порообразования, связанные с токовыми неустойчивостями
Кузнецов В.С.1, Проказников А.В.1
1Ярославский государственный университет
Поступила в редакцию: 1 марта 1996 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1996 г.

Проведено теоретическое исследование модели образования пористого кремния при анодном травлении в растворе плавиковой кислоты. Учтено, что на порообразовние влияют как процессы в тонком слое окисла на поверхности кремния, так и образование неоднородных структур и токовых шнуров в приповерхностной области пространственного заряда кремния из-за генерационно-рекомбинационной неустойчивости в области сильных электрических полей. В модели рассматривается межзонная ударная ионизация и ионизация зона---ловушка с коэффициентами генерации, зависящими от напряженности прикладываемого электрического поля. Учет этих эффектов приводит к появлению нескольких стационарных токовых состояний полупроводника, к бистабильности и к зависимостям с отрицательной дифференциальной проводимостью.
  • Cullis A.G., Canham L.T., Williams G.M., Smith P.W., Dosser O.D. J. Appl. Phys. 1994. V. 75. N 1. P. 493--501
  • Бучин Э.Ю., Постников А.В., Проказников А.В., Световой В.Б., Чурилов А.Б. Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. В. 1. С. 60--65
  • Smith R.L., Collins S.D. Journal of Applied Physics. 1992. V. 71. N 8. P. R1--R22
  • Компан М.Е., Шабанов И.Ю. Физика и техника полупроводников. 1995. Т. 29. В. 10. С. 1859--1869
  • Zhang X.G. Journal of Electrochem. Soc. 1991. V. 138. N 12. P. 3750--3756
  • Prokaznikov A.V., Maslyenitsyn S.F., Svyatchenko A.A., Pavlov S.T. Solid State Communication. 1994. V. 90. N 4. P. 217--221
  • Lehmann V., Foll H. Journal Electrochem. Soc. 1990. V. 137. N 2. P. 533--541
  • Lehmann V. Journal Electrochem. Soc. V. 140. N 10. P. 2836--2843
  • Басс Ф.Г., Бочков В.С., Гуревич Ю.Г. Электроны и фононы в ограниченных полупроводниках. М.: Наука, 1984. 287 с
  • Шелль Э. Самоорганизация в полупроводниках. Неравновесные фазовые переходы в полупроводниках, обусловленные генерационно-рекомбинационными процессами. М.: Мир, 1991. 459 с
  • Parkhutik V.P., Shershulsky V.I. J. Phys. D: Appl. Phys. 1992. V. 25. P. 1258--1263
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.