Издателям
Вышедшие номера
Примесные состояния в одноосно сжатых полупроводниках с вырожденными зонами
Баханова Е.В., Васько Ф.Т.
Выставление онлайн: 20 декабря 1989 г.

Рассмотрены особенности энергетического спектра точечных дефектов в полупроводниках с вырожденной зонной структурой (материалы p-типа, бесщелевые полупроводники) при одноосном сжатии, которое снимает вырождение зон. Четырехкратно вырожденный для изотропной модели в отсутствие деформации энергетический уровень расщепится на два вырожденных лишь по спину состояния. Резонансное акцепторное состояние превращается в локализованное при выходе в индуцированную деформацией запрещенную зону бесщелевого полупроводника. Для CdxHg1-xTe с 0.04 < x < 0.16 с ростом деформации эти состояния опять превращаются в резонансы на фоне валентной зоны (этот результат объясняет ранее наблюдавшийся переход металл-диэлектрик-металл). Отмечается возможность возникновения локальных донорных состояний для параметров бесщелевого полупроводника, близких к alpha-Sn. В материалах p-типа с ростом деформации имеет место превращение обоих локальных акцепторных состояний в резонансные, причем нижнее состояние оказывается достаточно узким.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.