Зарегистрировано нелинейное изменение пропускания в области края собственного поглощения кристаллов CdS_xSe_1-x (x =0.17; 80 К) при низком уровне оптического возбуждения (до 30 кВт/см²). Вид гистерезисных зависимостей интенсивности прошедшего света от интенсивности падающего указывал на существование двух механизмов нелинейности (тепловой и электронной природы), приводящих к наведенному поглощению. Зарегистрированы переколебания на заднем фронте прошедших импульсов, связанные с конкуренцией этих двух механизмов. Проведены двухлучевые эксперименты при синхронной накачке кристаллов мощными наносекундными импульсами N₂-лазера, позволившие разделить вклад электронных и тепловых процессов по времени релаксации наведенного поглощения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.