Издателям
Вышедшие номера
Роль малоугловых границ в изменении рекомбинационной активности глубоких центров кристаллов n-CdxHg1-xTe под действием ультразвука
Мысливец К.А., Олих Я.М.
Выставление онлайн: 19 сентября 1990 г.

Методом релаксацип фотопроводимости (lambda = 10.6 мкм) исследованы температурные (77-200 K) зависимости времени жизни неравновесных носителей заряда в подвергнутых ультразвуковой обработке кристаллах n-CdxHg1-xTe (x ~ 0.22) с линейной плотностью малоугловых границ в пределах 10-80 см-1. На основании данных о параметрах центров рекомбинации (Ea~= 32/ 64 мэВ, Na~= 1014-1016 см-3, Cn ~= (0.6/ 4.2)· 10-9 см3/с) и электрофизических характеристик (n0, mun), их изменений в зависимости от режимов ультразвуковой обработки рассмотрены возможные механизмы УЗ преобразований в системе точечных структурных дефектов данных кристаллов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.