Издателям
Вышедшие номера
Радиационно-индуцированное формирование наночастиц ZnO на поверхности монокристаллов ZnSe
Эльмуротова Д.Б.1, Ибрагимова Э.М.1, Каланов М.У.1, Турсунов Н.А.1
1Институт ядерной физики Академии наук Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
Email: ibragimova@inp.uz
Поступила в редакцию: 25 декабря 2007 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2009 г.

Приводятся результаты исследований возможности образования нанокристаллов ZnO в результате радиолиза поверхности кристаллов ZnSe, обработанных в парах цинка, при гамма-облучении и создании гетероструктур ZnSe-ZnO. При 60Co гамма-облучении на воздухе из нанозародышей ZnO сформировались нанокристаллы размером ~ 27 nm. Напротив, облучение смешанным потоком гамма-лучей и тепловых нейтронов привело к образованию двойниковой структуры в матричной решетке ZnSe и удалению ZnO. Оксидный слой также разрушается при протонном облучении в вакууме. Обнаружено, что рост нанокристаллитов ZnO обусловливает многократное повышение интенсивности электролюминесценции в полосе ~600 nm, микротвердости, а также снижение сопротивления, запирающего и порогового напряжения независимо от полярности. Таким образом, гамма-облучение приводит к формированию полупроводниковых светоизлучающих структур ZnSe-ZnO : Zn с p-n-переходом. Работа выполнена по контракту N 2-06 Фонда поддержки фундаментальных исследований Академии наук Узбекистана. PACS: 61.05.cp, 73.40.Lq, 78.55.Et, 78.60.Fi, 78.67.Bf
  • Ю.А. Загоруйко, В.М. Пузиков, О.А. Федоренко, Н.О. Коваленко. Модификация физических свойств широкозонных полупроводников A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=-. Ин-т монокристаллов, Харьков, (2005). 350 с
  • A.N. Georgobiani, M.B. Kotlyarevsky, I.V. Rogozin. Nucl. Phys. B (Suppl.) 78, 484 (1999)
  • Д.Б. Эльмуротова, Э.М. Ибрагимова. ФТП 41, 10, 1153 (2007)
  • A.A. Kist, N.M. Mukhamedshina, E.M. Ibragimova. Czechoslovak J. Phys. 52, Suppl. A, A 21 (2002)
  • Л.В. Атрощенко, С.Ф. Бурачас, Л.П. Гальчинецкий, Б.В. Гринев, В.Д. Рыжиков, Н.Г. Старжинский. Кристаллы сцинтилляторов и детекторов ионизирующих излучений на их основе. Наук. думка, Киев, (1998). С. 167
  • Я.Н. Барасюк, В.П. Махний, М.М. Слетов, Е.В. Стец. Изв. вузов. Физика 7, 87 (2003)
  • С.Ф. Дубинин, В.И. Соколов, С.Г. Теплоухов, В.Д. Пархоменко, Н.Б. Груздев. ФТТ 48, 12, 2151 (2006)
  • В.К. Комарь, В.М. Пузиков. Монокристаллы группы A-=SUP=-III-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=-. Выращивание, свойства, применение. Ин-т монокристаллов, Харьков (2002), 244 с
  • Н.К. Морозова, В.Г. Плотниченко, Е.М. Гаврищук, В.В. Блинов. Неорган. материалы 39, 8, 920 (2003)
  • М.Ф. Буланый, А.В. Коваленко, Б.А. Полежаев. Неорган. материалы 39, 3, 285 (2003)
  • Г.Н. Иванова, В.А. Касиян, Д.Д. Недеогло, С.В. Опря. ФТП 32, 2, 171 (1998).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.