Издателям
Вышедшие номера
Кластерные расчеты электронной структуры F-подобных центров в кристаллах MgF2 методом рассеянных волн
Соболев А.Б., Лушников П.В., Бикметов И.Ф., Типенко Ю.С., Никанович М.В., Ставров А.А., Шкадаревич А.П.
Выставление онлайн: 20 декабря 1990 г.

Приведены кластерные расчеты электронной структуры F-центров, "чистых" вакансий (V), вакансионно-примесных комплексов [V + Me+], Me = Li+, Na+, K+, M-центров (F2- и F2+-центров симметрии D2h) в кристаллах MgF2. Расчеты проводились методом рассеянных волн (ССП-РВ методом) в модели внедренного кластера. Использована полуэмпирическая схема коррекции погрешности функционала локальной плотности в оценке величины Eg для идеального кристалла в рамках принятой схемы внедрения кластера в кристалл. Рассчитанные энергии поглощения центров для основного перехода хорошо согласуются с экспериментальными. Обсуждается влияние учета эффектов анизотропии кристаллического потенциала и релаксации решетки на структуру одноэлектронного спектра дефектов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.