Издателям
Вышедшие номера
Аномальный гистерезис в несоразмерной фазе собственных сегнетоэлектриков Sn2P2(SexS1-x)6
Майор М.М., Высочанский Ю.М., Молнар Ш.Б., Приц И.П., Сливка В.Ю.
Выставление онлайн: 19 апреля 1991 г.

Исследованы особенности аномального температурного гистерезиса диэлектрической проницаемости varepsilon' в несоразмерной (НС) фазе собственных сегнетоэлектриков Sn2P2(SexS1-x)6, на T-x диаграмме которых имеется точка Лифшица. Установлено, что аномальный гистерезис обусловлен закреплением волны поляризации на дефектах кристаллической решетки. Наличие гистерезиса вплоть до высокотемпературной границы НС фазы Ti является следствием сильного пининга. В высокоомных кристаллах Sn2P2Se6, для которых роль свободных носителей заряда в экранировании доменной структуры незначительна, после перевода образца из полидоменного состояния в сегнетоэлектрической фазе в НС фазу наблюдается дополнительный релаксирующий вклад в аномальный гистерезис.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.