Издателям
Вышедшие номера
Сегнетоэлектрические свойства кристаллов Pb1-xSnxTe (x=0.25), легированных индием
Виноградов В.С., Кучеренко И.В.
Выставление онлайн: 20 августа 1991 г.

Измерены температурные зависимости спонтанного напряжения, диэлектрической проницаемости и поляризации в образцах Pb0.75Sn0.25Te с концентрацией In 0.1, 0.5 и 1 ат.%. Наблюдается усиление сегнетоэлектрических свойств с увеличением концентрации In. Обнаружен сдвиг петли гистерезиса, обусловленный электрическим полем локализованных на индии зарядов. Обсуждается вопрос о влиянии In на критическую температуру перехода Tc, а также о влиянии на сегнетоэлектрические характеристики неоднородного распределения индия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.