Издателям
Вышедшие номера
ЭПР в 2-мм диапазоне и оптическое поглощение собственного дефекта в эпитаксиальных слоях 4H SiC
Водаков Ю.А., Калабухова Е.Н., Лукин С.Н., Лепнёва А.А., Мохов Е.Н., Шанина Б.Д.
Выставление онлайн: 20 октября 1991 г.

Исследованы спектры ЭПР на частоте nu=140 ГГц и оптического поглощения (ОП) эпитаксиальных слоев (ЭС) 4H SiC, полученных вакуумным сублимационным "сэндвич-методом" с концентрацией азота от 1016 до 1018 см-3. Обнаружен и изучен новый парамагнитный центр ЛК-1 в ЭС 4H SiC, имеющих отклонение от стехиометрии в сторону избытка кремния. Исследована динамика изменения спектра ЭПР ЭС 4H SiC в температурном интервале от 4.2 до 34 K. Из сравнения теории с экспериментом определена энергия связи парамагнитного носителя с дефектом (E=12.8 мэВ) для центра ЛК-1. Предложена модель ЛК-1-атом кремния в гексагональной позиции углеродного узла, захвативший электрон SiC-антиструктурный дефект.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.