Издателям
Вышедшие номера
Аннигиляция позитронов в дефектных кристаллах Ga2S3(Se3), легированных переходными и редкоземельными элементами
Аскеров И.М., Мастеров В.Ф., Кондратьев В.Н., Биннатов К.Г., Асланов Г.К., Мехрабов А.О., Гаджиев X.Ф.
Выставление онлайн: 19 ноября 1991 г.

Приводятся результаты измерений углового распределения аннигиляционных квантов (УРАГК) и спектра времени жизни позитронов в дефектных соединениях Ga2S3 и Ga2Se3, легированных переходными и редкоземельными элементами. Установлено, что легирование приводит к существенному изменению параметров спектров УРАГК и времени жизни позитронов. На основе полученных экспериментальных данных вычислена концентрация центров захватывающих позитронов, которая составляет (0.7-0.9)· 1018 см-3.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.