Издателям
Вышедшие номера
Исследование влияния низкотемпературного отжига на параметры структуры ювенильных поверхностей монокристаллов CsDSO4 и CsH2PO4 методом трехкристальной рентгеновской дифрактометрии
Шитов Н.В., Ломов А.А., Бушуев В.А., Баранов А.И., Александров П.А.
Выставление онлайн: 19 ноября 1991 г.

Методом трехкристальной рентгеновской дифрактометрии исследованы чистые сколы поверхности сегнетоэластических монокристаллов CsDSO4 и сегнетоэлектриков CsH2PO4 сразу после выкалывания, через несколько дней пребывания в атмосфера обезвоженного азота и после низкотемпературного отжига при 80oC. Показано, что кристаллы являются достаточно совершенными с плотностью дислокаций в приповерхностных областях в интервале 8· 104-3· 105 см-2, которая для CsDSO4 зависит от времени вылеживания и процедуры отжига. В приповерхностных слоях неотожженных кристаллов CsDSO4 зафиксирована значительная отрицательная деформация Delta d/d~ -10-3. Обнаружено, что при отжиге в течение 2 ч при 80oС параметры структуры тонких приповерхностных слоев кристаллов CsDSO4 стабилизируются и деформация исчезает. Подобных явлений для монокристаллов CsH2PO4 не наблюдается.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.