На примере кристаллов GaAs и NaI демонстрируется эффект подавления дефектного вклада в ядерную спин-решеточную релаксацию и проводится разделение дефектного и решеточного вкладов, основанное на использовании вариантов двойных ядерных резонансов - квадрупольного насыщения линии ЯМР электрическим и акустическим полями.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.