Издателям
Вышедшие номера
Оптические и рентгеноструктурные исследования многослойных структур на основе твердых растворов InGaN/GaN
Усов С.О.1, Цацульников А.Ф.1, Заварин Е.Е.1, Кютт Р.Н.1, Леденцов Н.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: S.Usov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 14 октября 2008 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2009 г.

Методами фотолюминесценции и рентгеновской дифракции высокого разрешения (HRXRD) проведено исследование многослойных структур на основе соединений InxGa1-xN/GaN, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Разработан способ анализа экспериментальных кривых качания многослойных структур в рамках модели Парратта-Спериози, который позволил определить толщины, период и средний состав слоев InxGa1-xN, а также деформацию активной области в исследуемых образцах. Локальное содержание индия было определено с использованием теоретической модели, которая описывает энергию излучения как функцию толщин слоев InGaN с учетом энергии квантового ограничения, энергий спонтанной и пьезополяризации и параметров, определенных из HRXRD. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (проект N 07-02-01246-а) и программой президиума РАН "Квантово-размерные наноструктуры". PACS: 78.55.-m, 78.67.Hc, 78.55.Cr, 78.67.De, 81.07.St, 61.05.cp, 64.75.Nx
  • T. Witaker. LEDs magazine. Technology and application of light emitting diodes 13, 20 (2007)
  • D.S. Sizov, V.S. Sizov, G.E. Onushkin, V.V. Lundin, E.E. Zavarin, A.F. Tsatsul'nikov, N.N. Ledentsov. Nanostructures physics and technology. St. Petersburg (2005). P. 294
  • С.О. Усов, А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, Н.Н. Леденцов. ФТП 42, 2, 187 (2008)
  • V.S. Speriosu, T. Vreeland, Jr. J. Appl. Phys. 56, 1591 (1984)
  • L.G. Parratt. Phys. Rev. 95, 359 (1954)
  • Р.Н. Кютт, М.Л. Щеглов, В.Ю. Давыдов, А.С. Усиков. ФТП 46, 2, 353 (2004)
  • L. Gorgens, O. Ambacher, M. Stutzmann, C. Miskys, F. Scholz, J. Off. Appl. Phys. Lett. 76, 577 (2000)
  • S. Pereira, M.R. Correira, T. Monteiro, E. Pereira, E. Alves, A.D. Sequeira, N. Franco. Appl. Phys. Lett. 78, 2137 (2001)
  • S. Pereira, M.R. Correira, E. Pereira, K.P. O'Donnell, E. Alves, A.D. Sequeira, N. Franco, I.M. Watson, C.J. Deatcher. Appl. Phys. Lett. 80, 3913 (2002)
  • L.T. Romano. Appl. Phys. Lett. 73, 1757 (1998)
  • Yen-Lin Lai, Chau-Pu Liu. Appl. Phys. Lett. 86, 121 915/1-3 (2005)
  • L.E. Bruce. J. Chem. Phys. 80, 4403 (1984)
  • I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mhan. Appl. Phys. Lett. 89, 5815 (2001)
  • U.M.E. Christmas, A.D. Andreev, D.A. Faux. J. Appl. Phys. 98, 073 522/1-12 (2005)
  • S.O. Usov, A.F. Tsatsul'nikov, V.V. Lundin, A.V. Sakharov, E.E. Zavarin, D.S. Sizov, Yu.G. Musikhin, N.A. Bert, E.M. Arakcheeva, N.N. Ledentsov. Semicond. Sci. Technol. 22, 528 (2007)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.