Вышедшие номера
Экспериментальное определение толщины "мертвого слоя" для экситонов в широкой квантовой яме GaAs/AlGaAs
Убыйвовк Е.В.1, Логинов Д.К.1, Герловин И.Я.1, Долгих Ю.К.1, Ефимов Ю.П.1, Елисеев С.А.1, Петров В.В.1, Вывенко О.Ф.1, Ситникова А.А.2, Кириленко Д.А.2
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 ноября 2008 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2009 г.

Выполнено прямое измерение толщины "мертвого слоя" для материала GaAs в гетероструктуре GaAs/AlGaAs. Проведено сопоставление полученных в эксперименте значений ширины мертвого слоя с ранее найденными значениями для того же материала, граничащего с внешней средой, а также с результатами теоретических предсказаний различных авторов. Работа поддержана РФФИ и Минобрнауки. PACS: 71.36.+c, 78.40.Fy, 78.67.De
  1. J.J. Hopfield, D.G. Thomas. Phys. Rev. 132, 563 (1963)
  2. F. Evangelisti, A. Frova, F. Patella. Phys. Rev. B 10, 4253 (1974)
  3. F. Evangelisti, J.U. Fishbach, A. Frova. Phys. Rev. B 9, 1517 (1974).
  4. М.Ф. Дейген, М.Д. Глинчук. ФТТ 5, 11, 3250 (1963)
  5. P.G. Harper, J.A. Hilder. Phys. Status Solidi 26, 69 (1968)
  6. J. Gollardo, D. Mattis. Phys. Status Solidi B 93, 975 (1984)
  7. S. Satpathy. Phys. Rev. B 28, 4585 (1983)
  8. Н.Н. Ахмедиев, М.И. Сажин, А.В. Селькин. ЖЭТФ 96, 720 (1989)
  9. H. Azucena-Coyotecatl, N.R. Grigorieva, B.A. Kazennov, J. Madrigal-Melchor, B.V. Novikov, F.L. Perez-Rodrguez, A.V. Sel'kin. Thin Solid Films 373, 227 (2000)
  10. В.А. Киселев, Б.В. Новиков, А.Е. Чередниченко. Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников. Изд-во СПбГУ, СПб (2003). С. 79
  11. В.А. Киселев, И.В. Макаренко, Б.С. Разбирин, И.Н. Уральцев. ФТТ 19, 5, 1348 (1977)
  12. A. Tredicucci, Y. Chen, F. Bassani, J. Massies, C. Deparis, G. Neu. Phys. Rev. B 47, 10 352 (1993)
  13. С.А. Марков, Р.П. Сейсян, В.А. Кособукин. ФТП 38, 230 (2004)
  14. Д.К. Логинов, Е.В. Убыйвовк, Ю.П. Ефимов, В.В. Петров, С.А. Елисеев, Ю.К. Долгих, И.В. Игнатьев, В.П. Кочерешко, А.В. Селькин. ФТТ 48, 1979 (2006)
  15. E. Ubyivovk, Yu.K. Dolgikh, Yu.P. Efimov, S.A. Eliseev, I.Ya. Gerlovin, I.V. Ignatiev, V.V. Petrov, V.V. Ovsyankin. J. Lumin. 102-- 103, 751 (2003)
  16. С.И. Пекар. Кристаллооптика и добавочные световые волны. Наук. думка, Киев (1982). С. 179
  17. С.И. Пекар. ЖЭТФ 34, 1176 (1958)
  18. С.И. Пекар. ЖЭТФ 33, 1022 (1957)
  19. В.М. Агранович, В.Л. Гинзбург. Кристаллооптика с учетом пространственной дисперсии и теория экситонов. Наука, М. (1965). С. 58
  20. R.G. Ulbrich, C. Wesbuch. Phys. Rev. Lett. 38, 865 (1977)
  21. S. Adachi. GaAs and related materials: bulk semiconducting and superlattice properties. World Scientific, Singapore (1994)
  22. R.M. Hannak, W.W. Ruhle. Phys. Rev. B 50, 15 445 (1994)
  23. R. Romestain, C. Weisbuch. Phys. Rev. Lett. 45, 2067 (1980)
  24. M.S. Skolnick, A.K. Jain, R. Stradling, J. Leotin, J.C. Ousset, S. Ashkenazy. J. Phys. C 9, 2809 (1976)
  25. A. D'Andrea, R. Del Sople. Phys. Rev. B 32, 2337 (1985)
  26. A. D'Andrea, R. Del Sople. Phys. Rev. B 25, 3714 (1982)
  27. E.A. Muljarov, R. Zimmermann. Phys. Rev. B 66, 235 319 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.