"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Анализ состава газовой фазы в зоне источника методом УФ поглощения при выращивании GaAs в хлоридной газотранспортной системе
Жиляев Ю.В., Ипатова И.П., Куликов А.Ю., Макаров Ю.Н., Чикалова-Лузина О.П.
Выставление онлайн: 19 июня 1990 г.

Методом in situ спектроскопии в области 220-360 нм определены концентрации компонент в зоне источника для системы GaAs-AsCl3-HCl-H2-He при изменении температуры источника от 20 до 900oС для чисел Рейнольдса 0.1-1.5. Установлен неравновесный характер протекания гомогенных и гетерогенных реакций в зоне источника в низкотемпературных режимах (T=<sssim 800oС). Впервые получен спектр поглощения AsCl3. Выполнен двумерный расчет массопереноса компонент газовой смеси в зоне источника и путем сопоставления полученных в расчете концентраций компонент на выходе из зоны источника с экспериментальными значениями определены константы скоростей реакций.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.