"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
ЭЖЭ --- рост объемных кристаллов и одновременное получение слоев на нескольких подложках
Голубев Л.В., Егоров А.В., Новиков С.В., Савельев И.Г., Чалдышев В.В., Шаповалов Р.Г., Шмарцев Ю.В.
Выставление онлайн: 17 февраля 1991 г.

Разработано кристаллизационное устройство для получения слоев и кристаллов соединений A3B5, пригодное к использованию как в наземных условиях, так и в условиях микроускорений. Методом ЭЖЭ в неземных условиях получены в атмосфере водорода и в атмосфере аргона слои GaAs толщиной до 2 мм. Продемонстрирована возможность получения слоев GaAs методом ЭЖЭ одновременно на нескольких подложках в течение одного технологического процесса. Исследованы возможности кристаллизации слоев GaAs в вакууме. Анализируются параметры полученных слоев.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.