Рассмотрен изотермический массоперенос в газоэпитаксиальном реакторе с наклонным подложкодержателем, широко используемом для производства полупроводниковых структур. Для диффузионного режима осаждения установлены закономерности роста слоев, найдены условия получения однородных по длине пленок. Получена оценка переходной области течения газа при смене геометрии реактора в начале подложкодержателя.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.