Вышедшие номера
Спектры люминесценции гексагональных форм карбида кремния в мозаичных пленках, полученных методом твердотельной эпитаксии
Компан М.Е.1, Аксянов И.Г.1, Кулькова И.В.1, Кукушкин С.А.2, Осипов А.В.2, Феоктистов Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: kompan@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 15 апреля 2009 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2009 г.

Исследованы спектры люминесценции пленок карбида кремния, выращенных на кремнии методом твердотельной эпитаксии. Показано, что в зависимости от условий роста могут быть получены пленки различных политипов SiC, в том числе кубический и гексагональные политипы. Во многих случаях выращиваемые пленки являются смесью политипов, однако возможно и получение таких пленок, в которых преобладающим является материал гексагональной симметрии (в том числе возможно сосуществование двух близких по свойствам гексагональных фаз 4H и 2H). Тем самым показано, что пленки карбида кремния, выращиваемые на кремнии методом твердотельной эпитаксии, перспективны для применения в качестве демпфирующих слоев при синтезе широкозонных гексагональных полупроводников на кремниевых подложках. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (гранты N 07-08-00542, 09-03-00596, 08-08-12116-офи), программы РАН "Основы фундаментальных исследований нанотехнологий и наноматериалов", Фонда поддержки науки и образования (Санкт-Петербург). PACS: 78.55.-m, 78.66.-w
  1. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. Патент РФ N 2008102398. Приоритет 22.01.2008
  2. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 50, 1188 (2008)
  3. Л.М. Сорокин, Н.В. Веселов, М.П. Щеглов, А.Е. Калмыков, А.А. Ситникова, Н.А. Феоктистов, А.В. Осипов, С.А. Кукушкин. Письма в ЖТФ 34, 22, 88 (2008)
  4. A.A. Lebedev. Semicond. Sci. Technol. 21, R 17 (2006)
  5. И.К. Аксянов, В.Н. Бессолов, Ю.В. Жиляев, М.Е. Компан, Е.В. Коненкова, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, С.Н. Родин, Н.А. Феоктистов, Ш. Шарофидинов, М.П. Щеглов. Письма в ЖТФ 34, 11, 54 (2008)
  6. W.J. Choyke, L. Patrick, D.R. Hamilton. Proc. 7th Int. Conf. Semicond. / Ed. M. Hulin. Dunod, Paris (1964). 751 p
  7. R.P. Devaty, W.J. Choyke. Phys. Status Solidi A 162, 5 (1997)
  8. A. Kassiba, M. Makovska-Janusik, J. Bouchle, J.F. Bardeau, A. Bulou, N. Herlin-Boime. Phys. Rev. B 66, 155 317 (2002)
  9. G.D. Sanders, Y.-C. Chang. Phys. Rev. B 45, 16, 9202 (1992)
  10. L. Zhang, W. Yang, H. Jin, Z. Zheng, Z. Xie, H. Miao, L. An. Appl. Phys. Lett. 89, 143 101 (2006)
  11. И.Г. Аксянов, М.Е. Компан, М.В. Меш. ФТТ 49, 4, 657 (2007)
  12. W.Y. Liang, A.D. Yoffe. Phys. Rev. Lett. 20, 2, 59 (1968)
  13. M. Loretz, J. Lenzner, E.M. Kaidashev, H. Hochmuth, M. Grungmann. Ann. Phys. (Leipzig) 13, 1, 39 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.