Издателям
Вышедшие номера
Спектры люминесценции гексагональных форм карбида кремния в мозаичных пленках, полученных методом твердотельной эпитаксии
Компан М.Е.1, Аксянов И.Г.1, Кулькова И.В.1, Кукушкин С.А.2, Осипов А.В.2, Феоктистов Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: kompan@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 15 апреля 2009 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2009 г.

Исследованы спектры люминесценции пленок карбида кремния, выращенных на кремнии методом твердотельной эпитаксии. Показано, что в зависимости от условий роста могут быть получены пленки различных политипов SiC, в том числе кубический и гексагональные политипы. Во многих случаях выращиваемые пленки являются смесью политипов, однако возможно и получение таких пленок, в которых преобладающим является материал гексагональной симметрии (в том числе возможно сосуществование двух близких по свойствам гексагональных фаз 4H и 2H). Тем самым показано, что пленки карбида кремния, выращиваемые на кремнии методом твердотельной эпитаксии, перспективны для применения в качестве демпфирующих слоев при синтезе широкозонных гексагональных полупроводников на кремниевых подложках. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (гранты N 07-08-00542, 09-03-00596, 08-08-12116-офи), программы РАН "Основы фундаментальных исследований нанотехнологий и наноматериалов", Фонда поддержки науки и образования (Санкт-Петербург). PACS: 78.55.-m, 78.66.-w
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. Патент РФ N 2008102398. Приоритет 22.01.2008
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 50, 1188 (2008)
  • Л.М. Сорокин, Н.В. Веселов, М.П. Щеглов, А.Е. Калмыков, А.А. Ситникова, Н.А. Феоктистов, А.В. Осипов, С.А. Кукушкин. Письма в ЖТФ 34, 22, 88 (2008)
  • A.A. Lebedev. Semicond. Sci. Technol. 21, R 17 (2006)
  • И.К. Аксянов, В.Н. Бессолов, Ю.В. Жиляев, М.Е. Компан, Е.В. Коненкова, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, С.Н. Родин, Н.А. Феоктистов, Ш. Шарофидинов, М.П. Щеглов. Письма в ЖТФ 34, 11, 54 (2008)
  • W.J. Choyke, L. Patrick, D.R. Hamilton. Proc. 7th Int. Conf. Semicond. / Ed. M. Hulin. Dunod, Paris (1964). 751 p
  • R.P. Devaty, W.J. Choyke. Phys. Status Solidi A 162, 5 (1997)
  • A. Kassiba, M. Makovska-Janusik, J. Bouchle, J.F. Bardeau, A. Bulou, N. Herlin-Boime. Phys. Rev. B 66, 155 317 (2002)
  • G.D. Sanders, Y.-C. Chang. Phys. Rev. B 45, 16, 9202 (1992)
  • L. Zhang, W. Yang, H. Jin, Z. Zheng, Z. Xie, H. Miao, L. An. Appl. Phys. Lett. 89, 143 101 (2006)
  • И.Г. Аксянов, М.Е. Компан, М.В. Меш. ФТТ 49, 4, 657 (2007)
  • W.Y. Liang, A.D. Yoffe. Phys. Rev. Lett. 20, 2, 59 (1968)
  • M. Loretz, J. Lenzner, E.M. Kaidashev, H. Hochmuth, M. Grungmann. Ann. Phys. (Leipzig) 13, 1, 39 (2004)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.