"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
О памяти эффекта Ротштейна
Гущин Е.М., Лебедев Л.Н., Сомов С.В., Тимофеев М.К., Типографщик Г.И.
Выставление онлайн: 19 ноября 1992 г.

В рамках модели захвата электронов на мелкие промежуточные уровни рассматривается "память" эффекта увеличения чувствительности бромосеребряных эмульсий в импульсном электрическом поле (эффект Ротштейна). Получены выражения для зависимости чувствительности эмульсии в электрическом поле от задержки между экспозицией и управляющим электрическим импульсом для двух- и трехуровневой систем электронных ловушек. Показано, что двухкомпонентная память эффекта Ротштейна (40 мкс и 3.5 мс) объясняется наличием двух промежуточных центров захвата, предположительно с зарядом +e/2; оцененная глубина ловушек составляет 0.2 и 0.4 эВ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.