Вышедшие номера
Высокочистый p-GaAs, выращенный из раствора GaAs в Bi, легированного иттербием
Рудая Н.С., Болховитянов Ю.Б., Журавлев К.С., Шегай О.А., Якушева Н.А.
Выставление онлайн: 19 апреля 1990 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.