Издателям
Вышедшие номера
Немонотонная зависимость кинетических коэффициентов от магнитного поля в полупроводниковых сплавах n-Bi--Sb
Редько Н.А.1, Каган В.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: nikolaj.a.redko@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 6 июня 2007 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2008 г.

Исследованы кинетические коэффициенты на монокристаллических образцах полупроводниковых сплавов n-Bi1-xSbx (0.07=<q x=<q 0.15), легированных теллуром, в температурном интервале 1.5=<q T=<q 40 K и в магнитных полях 0=<q H<20 kOe. Согласно теории, развитой в работе, наблюдаемые на эксперименте особенности поведения кинетических коэффициентов в магнитном поле обусловлены сильной анизотропией электронного спектра и анизотропией времени релаксации электронов. Выяснено, что теоретические зависимости кинетических коэффициентов от магнитного поля при H|| C3 выражаются с помощью одного параметра анизотропии delta, а при H|| C2 --- с помощью нескольких параметров анизотропии: gamma,eta,xi и m3/m1. Установлено, что в полупроводниковых сплавах n-Bi--Sb параметр анизотропии delta можно оценить из измерений в магнитном поле при H|| C3 удельного сопротивления rho22(бесконечность)/rho22(0)=~delta и коэффициента Холла R12.3(бесконечность)/R12.3(H--->0)=~delta. Показано, что наблюдаемый рост термоэлектрической эффективности в 1.5-2 раза в поперечных слабых магнитных полях при H|| C3 и H|| C2 обусловлен немонотонной зависимостью диффузионной составляющей термоэдс Deltaalpha22(H) ( T|| C1) от магнитного поля. Немонотонная зависимость диффузионной термоэдс в полупроводниковых сплавах n-Bi--Sb связана с сильной анизотропией электронного спектра, анизотропией времени релаксации электронов и наличием многодолинности. Работа выполнена при частичной финансовой поддержке гранта ведущих научных школ N НШ-5596.2006.2. PACS: 72.20.Pa, 72.20.My, 72.20.Dp
  • Н.Б. Брандт, Р. Германн, Г.И. Голышева, Л.И. Девяткова, Д. Кусник, В. Краак, Я.Г. Пономарев. ЖЭТФ 83, 2152 (1982)
  • В.С. Эдельман. УФН 123, 257 (1977)
  • В.Д. Каган, Н.А. Редько, Н.А. Родионов, В.И. Польшин. ФТТ 42, 1376 (2000)
  • В.Д. Каган, Н.А. Редько, Н.А. Родионов, В.И. Польшин. ЖЭТФ 122, 377 (2002)
  • Б.М. Аскеров. Кинетические эффекты в полупроводниках. Наука, Л. (1970). 303 с
  • Н.А. Редько, В.Д. Каган, Н.А. Родионов, В.И. Польшин. ЖЭТФ 124, 130 (2003)
  • В.И. Бочегов, К.Г. Иванов, Н.А. Родионов. ПТЭ 2, 218 (1980)
  • П.И. Баранский, И.С. Буда, И.В. Даховский, В.В. Коломоец. Электрические и гальваномагнитные явления в анизотропных полупроводниках / Под ред. П.И. Баранского. Наук. думка, Киев (1977). 270 с
  • П.И. Баранский, И.С. Буда, И.В. Даховский. Теория термоэлектрических и термомагнитных явлений в анизотропных полупроводниках. Наук. думка, Киев (1987). 272 с
  • Н.Б. Брандт, С.М. Чудинов. Энергетические спектры электронов и фононов в металлах. Изд-во МГУ, М. (1980). 340 с
  • В.Д. Каган, Н.А. Редько. ЖЭТФ 100, 1205 (1991)
  • W.M. Yim, A. Amith. Solid State Electronics 15, 1141 (1972)
  • Г.А. Иванов, В.А. Куликов, В.Л. Налетов, А.Ф. Панарин, А.Р. Регель. ФТП 6, 1296 (1972)
  • Н.А. Родионов, Г.А. Иванов, Н.А. Редько. ФТТ 24, 1881 (1982).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.