"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Электрофизические характеристики низкопорогового (In=1.3 мА, T=300 K) квантоворазмерного AlGaAs, лазерного диода с зарощенной гетероструктурой, полученные НЖФЭ
Лупу А.Т., Мереуцэ А.З., Пузин И.Б., Сырбу А.В., Суручану Г.И., Шейнкман М.К., Шерварлы Г.К., Яковлев В.П.
Выставление онлайн: 20 января 1991 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.