С использованием метода дифракции рентгеновского излучения исследованы температурные зависимости параметров решетки в нормальном и тангенциальном к подложке направлениях эпитаксиальных пленок титаната бария--стронция разной толщины (от 6 до 960 nm), выращенных по слоевому механизму высокочастотным катодным распылением при повышенном давлении кислорода. Выявлена критическая толщина пленок (~50 nm), ниже которой в пленках существуют сжимающие, а выше --- растягивающие напряжения. Во всем интервале толщин при изменении температуры от 780 до 100 K в пленках наблюдаются два размытых структурных фазовых перехода второго рода. При растягивающих напряжениях переходы могут соответствовать переходам из тетрагональной параэлектрической фазы в aa-фазу и далее в r-фазу, в то время как при сжимающих напряжениях переходы происходят из тетрагональной параэлектрической фазы в сегнетоэлектрическую c-фазу, а при дальнейшем понижении температуры --- в r-фазу. Работа проводилась при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 05-02-17191 и 06-02-16271). PACS: 77.80.-e, 64.70.Nd, 77.55.+f
B. Acikel, T.R. Taylor, P.J. Hausen, J.S. Speck, R.A. York. IEEE Microwave Wireless Components Lett. 12, 237 (2002)
P.K. Petrov, Mcn N. Algord, S. Gevorgyan. Meas. Sci. Technol. 15, 1 (2004)
B.H. Hoerman, B.M. Nichols, B.W. Wessels. Phys. Rev. B 65, 224 110 (2002)
N.A. Pertsev, A.G. Zembilgotov, A.K. Tagantsev. Phys. Rev. Lett. 80, 1988 (1998)
V.G. Koukhar, N.A. Pertsev, R. Wasser. Phys. Rev. B 64, 214 103 (2001)
Z.-G. Ban, S.P. Alpay. J. Appl. Phys. 91, 9288 (2002)
L. Lahoche, V. Lorman, S.B. Rochal, J.M. Roelandt. J. Appl. Phys. 91, 4973 (2002)
Yu.I. Yuzyuk, J.L. Sauvajol, P. Simon, V.L. Lorman, V.A. Alyoshin, I.N. Zakharchenko, E.V. Sviridov. J. Appl. Phys. 93, 9930 (2003)
D.A. Tenne, A. Soukiassian, X.X. Xi, H. Choosuwan, R. Guo, A.S. Bhalla. J. Appl. Phys. 96, 6597 (2004)
M. El Marssi, E. Le Marrec, I.A. Lukyanchuk, M.G. Karkut. J. Appl. Phys. 94, 3307 (2003)
H. Li, A.L. Roytburd, S.P. Alpay, T.D. Tran, L. Salamanca-Riba, R. Ramech. Appl. Phys. Lett. 78, 2354 (2001)
W.Y. Park, C.S. Hwang. Appl. Phys. Lett. 85, 5313 (2004)
A. Lookman, J. McAneney, R.M. Bowman, J.M. Gregg, J. Kut, S. Rois, A. Ruediger, M. Dawber, J.F. Scott. Appl. Phys. Lett. 85, 5010 (2004)
A. Lookman, R.M. Bowman, J.M. Gregg, J. Kut, S. Rois, A. Ruediger, M. Dawber, J.F. Scott. J. Appl. Phys. 96, 555 (2004)
H. Terauchi, Y. Watanabe, H. Kasatani, K. Kamigaki, Y. Tano, T. Terashima, Y. Bando. J. Phys. Soc. Jap. 61, 2194 (1992)
F. He, B.O. Wells. Appl. Phys. Lett. 88, 152 908 (2006)
J.A. Bellotti, W. Chang, S.B. Qadri. Appl. Phys. Lett. 88, 012 902 (2006)
V.M. Mukhortov, Y.I. Golovko, G.N. Tolmachev, A.N. Klevtzov. Ferroelectrics 247, 75 (2000)
В.М. Мухортов, Ю.И. Головко, Г.Н. Толмачев, А.И. Мащенко. ЖТФ 69, 87 (1999)
В.М. Мухортов, Ю.И. Головко, В.В. Колесников, С.В. Бирюков. Письма в ЖТФ 31, 75 (2005)
© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук