Издателям
Вышедшие номера
Механизм и природа фазовых переходов в оксифториде (NH4)3MoO3F3
Флёров И.Н.1, Фокина В.Д.1, Бовина А.Ф.1, Богданов Е.В.1, Молокеев М.С.1, Кочарова А.Г.1, Погорельцев Е.И.2, Лапташ Н.М.3
1Институт физики им Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
2Политехнический институт Сибирского федерального университета, Красноярск, Россия
3Институт химии Дальневосточного отделения Российской академии наук, Владивосток, Россия
Email: flerov@iph.krasn.ru
Поступила в редакцию: 18 июля 2007 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2008 г.

Выполнены исследования температурных зависимостей теплоемкости, параметра элементарной ячейки и диэлектрической проницаемости криолита (пространственная группа Fm3m) (NH4)3MoO3F3. Обнаружены структурные фазовые переходы при 297 и 205 K, природа которых оказалась соответственно сегнетоэлектрической и сегнетоэластической. Механизм структурных искажений обсуждается на основе энтропийных параметров, фазовых диаграмм температура-давление и карт распределения электронной плотности критических атомов. Выполнен анализ влияния размера и формы катионов на фазовые переходы в оксифторидах A2A'MO3F3 (A,A'=NH4,K; M=Mo,W). Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 06-02-16102), гранта Президента РФ для поддержки ведущих научных школ РФ (НШ-4137.2006.2) и Сибирского отделения РАН (Лаврентьевский конкурс молодежных проектов, грант N 51). PACS: 61.50.Ks, 65.40.Ba, 65.40.Gr
  • И.Н. Флёров, М.В. Горев, В.Д. Фокина, А.Ф. Бовина, Н.М. Лапташ. ФТТ 46, 888 (2004)
  • И.Н. Флёров, М.В. Горев, В.Д. Фокина, М.С. Молокеев, Ю.В. Бойко, В.Н. Воронов, А.Г. Кочарова. ФТТ 48, 99 (2006)
  • V.D. Fokina, I.N. Flerov, M.V. Gorev, M.S. Molokeev, A.D. Vasiliev, N.M. Laptash. Ferroelectrics 347, 60 (2007)
  • J. Ravez, G. Peraudeau, H. Arend, S.C. Abrahams, P. Hagenmuller. Ferroelectrics 26, 767 (1980)
  • И.Н. Флёров, М.В. Горев, В.Д. Фокина, А.Ф. Бовина, М.С. Молокеев, Е.И. Погорельцев, Н.М. Лапташ. ФТТ 49, 136 (2007)
  • G. Peraudeau, J. Ravez, P. Hagenmuller, H. Arend. Solid State Commun. 27, 591 (1978)
  • И.Н. Флёров, В.Д. Фокина, М.В. Горев, А.В. Васильев, А.Ф. Бовина, М.С. Молокеев, А.Г. Кочарова, Н.М. Лапташ. ФТТ 48, 711 (2006)
  • С.В. Мельникова, В.Д. Фокина, Н.М. Лапташ. ФТТ 48, 110 (2006)
  • Б.А. Струков, А.П. Леванюк. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. Наука, М. (1983). 240 с
  • Ф. Иона, Д. Ширане. Сегнетоэлектрические кристаллы. Мир, М. (1965). 555 с
  • A. Guyomar, G. Sebald, B. Guihard, L. Seveyrat. J. Phys. D: Appl. Phys. 39, 4491 (2006)
  • I.N. Flerov, M.V. Gorev, K.S. Aleksandrov, A. Tressaud, J. Grannec, M. Couzi. Mater. Sci. Eng. B 24, 81 (1998)
  • F.J. Brink, L. Noren, D.J. Goossens, R.L. Withers, Y. Liu, C.-N. Xu. J. Solid State Chem. 174, 450 (2003)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.