Издателям
Вышедшие номера
Изменение спектра фотолюминесценции вблизи двойниковых границ в кристаллах ZnTe, полученных при быстрой кристаллизации
Багаев В.С.1, Клевков Ю.В.1, Кривобок В.С.1, Мартовицкий В.П.1, Зайцев В.В.1, Черноок С.Г.1, Онищенко Е.Е.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Email: krivobok@lebedev.ru
Поступила в редакцию: 6 августа 2007 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2008 г.

Кристаллы \111\ ZnTe с различной плотностью двойниковых границ в направлении роста были получены при ~670oC методом химического осаждения паров с отклонением паровой среды в сторону избытка Zn. Дефектообразование в кристаллитах конусообразной формы высотой до 5 mm с поперечными размерами 10-500 mum у основания и до 2 mm у вершины является следствием неустойчивостей, возникающих на фронте кристаллизации в результате конвективного тепло-массообмена в пересыщенной паровой среде. С помощью рентгеновской дифрактометрии, растровой электронной микроскопии и низкотемпературной фотолюминесценции было исследовано влияние двойниковых границ на распределение химических примесей и электронный спектр ZnTe. Установлено, что быстрый низкотемпературный рост поликристаллов [111] ZnTe из паровой фазы с избыточным содержанием Zn способствует интенсивному образованию двойников двух типов --- вращения и отражения. При этом некогерентная граница [111] для двойников отражения способствует сегрегации и накоплению примесных атомов. В областях кристалла с большой плотностью двойников отражения в спектрах низкотемпературной фотолюминесценции обнаружены экситон-примесные комплексы (IC и IX), а также Y-полоса, связываемая обычно с протяженными дефектами (дислокациями, двойниками, границами кристаллитов). Дополнительные исследования показали, что IX представляет собой излучение экситона, связанного на нейтральном изоэлектронном или заряженном дефекте, в то время как IC определяется, по-видимому, примесью IV группы таблицы Менделеева. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (проекты N 07-02-00392, 06-02-17155, 05-02-16676, 05-02-17545). PACS: 61.72.Ji, 61.72.Mm, 68.37.Hk, 71.35.-y, 71.55.Gs, 78.55.Et
  • Y.Q. Wang, U. Philipose, T. Xu, H.E. Ruda, K.L. Kavanagh. Semicond. Sci. Technol. 22, 175 (2007)
  • Y. Hao, G. Meng, Zh.L. Wang, Ch. Ye, L. Zhang. Nano Lett. 6, 1650 (2006)
  • J.W. Grebinsky, K.L. Hull, J. Zhang, Th.H. Kosel, M. Kuno. Chem. Mater. 16, 5260 (2004)
  • L. Xu, Y. Su, Y. Chen, H. Xiao, L. Zhu, Q. Zhou, S. Li. J. Phys. Chem. 110, 6637 (2006)
  • G.F. Neumark. Mater. Sci. Forum 38--41, 513 (1989)
  • N. Lovergine, L. Liaci, J.-D. Gamere, G. Leo, A.V. Drigo, F. Romanato. J. Appl. Phys. 78, 229 (1995)
  • Y. Yan, M.M. Al-Jassim, J.M. Jones. J. Appl. Phys. 94, 2976 (2003)
  • Y. Yan,M.M. Al-Jassim, J.M. Jones. J. Appl. Phys. 96, 320 (2004)
  • V. Consonni, G. Feuillet, S. Rene. J. Appl. Phys. 99, 053 502 (2006)
  • J. Stangl, V. Holy, G. Bauer. Rev. Mod. Phys. 76, 725 (2004)
  • Н.В. Белов. Процессы реального кристаллообразования. Наука, М. (1977). 235 с
  • Ю.Ю. Логинов, П.Д. Браун, К. Дьюроуз. Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках A2B6. Логос, М. (2003). 304 с
  • K. Durose, G.J. Russell. J. Cryst. Growth 101, 246 (1990)
  • Ю.В. Клевков, В.П. Мартовицкий, С.А. Медведев. ФТП 37, 129 (2003)
  • Y. Yan, M.M. Al-Jassim, K.M. Jones. Thin Solid Films 389, 75 (2001)
  • Y. Yan, M.M. Al-Jassim. J. Appl. Phys. 90, 3952 (2001)
  • В.С. Багаев, Т.И. Галкина, А.И. Шарков, А.Ю. Клоков, В.П. Мартовицкий, В.В. Зайцев, Ю.В. Клевков. ФТТ 45, 1941 (2003)
  • В.С. Багаев, В.В. Зайцев, Ю.В. Клевков, В.С. Кривобок, Е.Е. Онищенко. ФТП 37, 299 (2003)
  • В.С. Багаев, Ю.В. Клевков, В.В. Зайцев, В.С. Кривобок. ФТТ 47, 583 (2005)
  • T. Tanaka, K. Hayashida, M. Nisho, Q. Guo, H. Ogawa. J. Appl. Phys. 94, 1527 (2003)
  • M. Magnea, J.L. Pautrat, L.S. Dang, R. Romestain, P.J. Dean. Solid State Commun. 47, 703 (1983)
  • W.S. Kuhn, A. Lusson, B. Quhen, C. Grattepain, H. Dumont, O. Gorochov, S. Bauer, K. Wolf, M. Morz, T. Reisinger, A. Rosenauer, H.P. Wagner, H. Stanzl, W. Gebhardt. Prog. Cryst. Growth Charact. 31, 119 (1995)
  • P.J. Dean, M.J. Kane, N. Magnea, F. de Maigret, L.S. Dang, A. Nahmani, R. Romestain, M.S. Skolnick. J. Phys. C 18, 6185 (1985)
  • P.J. Dean, H. Venghaus. Phys. Rev. B 21, 1596 (1980)
  • Экситоны / Под ред. Э.И. Рашбы, М.Д. Стерджа. Наука, М. (1985)
  • А. Келли, Г. Гровс. Кристаллография и дефекты в кристаллах. Мир, М. (1974). 496 с
  • J.A. Garcia, A. Remon, V. Munoz, R. Triboulet. J. Cryst. Growth 197, 794 (1999)
  • A. Naumov, K. Wolf, T. Reisinger, H. Stanzl, W. Gebhardt. J. Appl. Phys. 73, 2581 (1993)
  • S.I. Gheays, S. Hirano, M. Nishio, H. Ogawa. Appl. Surf. Sci. 100/101, 647 (1996)
  • K. Wolf, A. Naumov, T. Reisinger, M. Kastner, H. Stanzl, W. Kuhn, W. Gebhardt. J. Cryst. Growth 113 (1994)
  • J.L. Pautrat, L. Magnea, J.P. Faurei. J. Appl. Phys. 53, 8668 (1982)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.