Издателям
Вышедшие номера
Двухзонная проводимость Si3N4
Новиков Ю.Н.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
Email: nov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 28 ноября 2013 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2014 г.

Теоретически изучена кинетика накопления заряда в структуре металл--нитрид кремния--оксид кремния--полупроводник. Результаты расчета сравниваются с экспериментальными данными. Для согласия теории с экспериментом в расчетах необходимо учитывать одновременно как перенос электронов, так и перенос дырок. Расчеты предсказывают, что сечение захвата носителей на ловушки должно быть менее 10-14 сm2.
  • Yu.N. Novikov. The FLASH Memory Based on Silicon Nitride (SONOS). Nova Publisher, N.Y. (2011). P. 35
  • Ю.Н. Новиков, В.А. Гриценко, К.А. Насыров. Письма в ЖЭТФ 89, 599 (2009)
  • Yu.N. Novikov. J. Appl. Phys. 113, 024 109 (2013)
  • K.A. Nasyrov, V.A. Gritsenko, M.K. Kim, H.S. Chae, S.D. Chae, W.I. Ryu, J.H. Sok, J.W. Lee, B.M. Kim. IEEE Electron Device Lett. 23, 336 (2002)
  • P.C. Arnett, B.H. Yan. Appl. Phys. Lett. 26, 94 (1975)
  • F.L. Hampton, J.R. Cricchi. Appl. Phys. Lett. 35, 802 (1979)
  • S. Manzini. J. Appl. Phys. 62, 3278 (1987)
  • К.А. Насыров, В.А. Гриценко. ЖЭТФ 139, 1172 (2011)
  • Y.C. Jeon, H.Y. Lee, S.K. Joo. J. Appl. Phys. 75, 979 (1993)
  • K.A. Nasyrov, V.A. Gritsenko, Yu.N. Novikov, E.-H. Lee, S.Y. Yoon, C.W. Kim. J. Appl. Phys. 96, 4293 (2004)
  • Г.В. Гадияк, М.С. Обрехт, С.П. Синица. Микроэлектроника 14, 512 (1985)
  • H. Bachhofer, H. Reisinger, E. Bertagnolli. J. Appl. Phys. 89, 2791 (2001)
  • К.А. Насыров, Ю.Н. Новиков, В.А. Гриценко, C.Ю. Юн, Ч.В. Ким. Письма в ЖЭТФ 77, 455 (2003)
  • Z.A. Weinberg. Appl. Phys. Lett. 29, 617 (1976)
  • В.А. Гриценко, Е.Е. Меерсон. Микроэлектроника 12, 580 (1983)
  • V.A. Gritsenko, E.E. Meerson, Yu.N. Morokov. Phys. Rev. B 57, R2081 (1997)
  • S.D. Tzeng, S. Gwo. J. Appl. Phys. 100, 023 711 (2006)
  • S.S. Makram-Ebeid, M. Lannoo. Phys. Rev. B 25, 6406 (1982)
  • V.A. Gritsenko, H. Wong, J.B. Xu, R.M. Kwok, I.P. Petrenko, B.A. Zaitsev, Yu.N. Morokov, Yu.N. Novikov. J. Appl. Phys. 86, 3234 (1999)
  • Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1982), 660 с.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.