Tianyou Zhai, Xiaosheng Fand, Meiyong Liao et al. // Sensors. 2009. V. 9. P. 6504--6539
www.dz 863.com/datasheet-8312661563
Yangang Han, Gang Wu, Haiguo Li, Mang Wang, Hongsheng Chen // Nanotecnology. 2010. V. 21. P. 185 708
Masayuki Okuya, Katsauyki Shiozaki, Nobuyuki Horkawa et al. // Solid State Ionics. 2004. V. 172. P. 527--531
Tsai T.Y., Chang S.I., Hsuen T.I. et al. // Nanoscale Res. Lett. 2011. V. 6 (1). P. 575
Zakutayev A., Perkins J.O., Parilla P.A. // MRS Communications. 2011. V. 1. P. 23--26
Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов / Пер. с англ. под ред. А.Ф. Трутко. М.: Энергия, 1973. 85 с.; Sze C.M. Phyzics of Semiconductor Devices. New York, London, Toronto: John Wiley and Sons, 1969
Yanbo Li, Florent Della Valle, Mathieu Simonnet et al. // Nanotechnology. 2009. V. 20. P. 045 501
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.