Изучена конвертация приповерхностных областей InGaN в GaN во время прерываний роста. Установлено, что процесс насыщается во времени, развивается на глубину менее 2 nm и протекает сходным образом при наличии и отсутствии водорода в реакторе, однако водород его существенно ускоряет. У структур InGaN/GaN, выращенных с прерываниями роста, обнаружено возникновение дополнительной линии фотолюминесценции с большей длиной волны, чем у аналогичного сплошного слоя InGaN. Показано, что прерывание роста в безводородной атмосфере предпочтительнее для формирования светоизлучающих гетероструктур зеленого диапазона.
Van Daele B., Van Tendeloo G., Jacobs K., Moerman I., Leys M.R. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85. P. 4379
Cho H.K., Lee J.Y., Sharma N., Humphreys C.J., Yang G.M. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79. P. 2594
Lundin W.V., Sakharov A.V., Tsatsulnikov A.F., Ustinov V.M. // Semicond. Sci. Technol. 2011. V. 26(1). P. 014 039
Lundin W.V., Nikolaev A.E., Sakharov A.V., Zavarin E.E., Valkovskiy G.A., Yagovkina M.A., Usov S.O., Kryzhanovskaya N.V., Sizov V.S., Brunkov P.N., Zakgeim A.L., Cherniakov A.E., Cherkashin N.A., Hytch M.J., Yakovlev E.V., Bazarevskiy D.S., Rozhavskaya M.M., Tsatsulnikov A.F. // J. Cryst. Growth. 2011. V. 315. P. 267
Zhu T., El-Ella H.A.R., Reid B., Holmes M.J., Taylor R.A., Kappers M.J., Oliver R.A. // J. Cryst. Growth. 2012. V. 338. P. 262
Крыжановская Н.В., Лундин В.В., Николаев А.Е., Цацульников А.Ф., Сахаров А.В., Павлов М.М., Черкашин Н.А., Яговкина М.А., Усов С.О. // ФТП. 2010. Т. 44. В. 6. С. 857
Yakovlev E.V., Talalaev R.A., Kondratyev A.V., Segal A.S., Lobanova A.V., Lundin W.V., Zavarin E.E., Sinitsyn M.A., Tsatsulnikov A.F., Nikolaev A.E. // J. Cryst. Growth. 2008. V. 310. P. 4862
Sakharov A.V., Lundin W.V., Krestnikov I.L., Zavarin E.E., Usikov A.S., Tsatsul'nikov A.F., Ledentson N.N., Hoffmann A., Bimberg D., Alferov Zh.I. // Proc. of 8th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology St. Petersburg, Russia, June 19--23 2000. P. 216--218